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K3770-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,50A,RDS(ON),40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K3770-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3770-01MR-VB

K3770-01MR-VB概述

    K3770-01MR-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K3770-01MR-VB 是一款由VBsemi推出的高性能N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET采用先进的TrenchFET技术制造,具有高可靠性和低热阻封装。它广泛应用于隔离式直流-直流转换器和其他需要高电流、高频率开关的应用场合。

    2. 技术参数


    - 基本特性:
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 100 V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±20 V
    - 最大连续漏极电流 \(I{D(TC)}\): 50 A (TJ = 25°C),28 A (TJ = 125°C)
    - 最大脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 120 A
    - 最大单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 61 mJ
    - 最大功率耗散 \(PD\): 360 W (TJ = 25°C)
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压 \(V{(BR)DSS}\): 100 V
    - 栅阈值电压 \(V{GS(th)}\): 不适用
    - 栅体泄漏 \(I{GSS}\): ±100 nA
    - 零栅压漏极电流 \(I{DSS}\): 1 μA (VDS = 100 V, VGS = 0 V)
    - 开启态漏极电流 \(I{D(on)}\): 120 A (VDS ≥ 5 V, VGS = 10 V)
    - 漏源导通电阻 \(r{DS(on)}\): 0.034 Ω (VGS = 10 V, ID = 30 A)
    - 动态特性:
    - 输入电容 \(C{iss}\): 5100 pF (VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容 \(C{oss}\): 480 pF
    - 反向转移电容 \(C{rss}\): 210 pF
    - 总栅极电荷 \(Qg\): 90 - 130 nC (VDS = 100 V, VGS = 10 V, ID = 65 A)
    - 栅源电荷 \(Q{gs}\): 23 nC
    - 栅漏电荷 \(Q{gd}\): 34 nC

    3. 产品特点和优势


    K3770-01MR-VB 的主要特点是采用了TrenchFET技术,能够提供高可靠性。它的最大工作温度为175°C,适用于高温环境下的应用。同时,其低热阻封装设计有助于提高散热效率,从而延长使用寿命。此外,该MOSFET经过100%的Rg测试,确保其在各种条件下的稳定性能。

    4. 应用案例和使用建议


    K3770-01MR-VB 主要应用于隔离式直流-直流转换器。例如,在一个典型的隔离式直流-直流转换器电路中,该MOSFET作为主开关管使用,能够实现高效的电压转换。为了进一步优化性能,建议在使用时注意以下几点:
    - 确保在正确的电气参数范围内操作,避免过载。
    - 在高温环境下使用时,应注意散热措施,以防止因过热而导致的损坏。
    - 考虑到高频开关应用,建议在PCB布局上尽量减小寄生电感,从而提高整体效率。

    5. 兼容性和支持


    K3770-01MR-VB 采用标准的TO-220 FULLPAK封装,可方便地与其他常见的电子元器件兼容。VBsemi公司为其提供了全面的技术支持,包括产品选型指南、应用笔记和客户技术支持等。如果您在使用过程中遇到任何问题,可以通过服务热线 400-655-8788 联系他们获得帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关频率过高导致器件发热严重。
    - 解决方案: 使用更大的散热片或外部冷却系统,如风扇,以提高散热效率。

    - 问题: 高温环境下器件出现性能下降。
    - 解决方案: 减少电流负载,或者增加散热措施,如添加散热膏和散热片。

    7. 总结和推荐


    综上所述,K3770-01MR-VB 是一款高性能、高可靠的N沟道MOSFET,适合用于隔离式直流-直流转换器及其他需要高电流、高频率开关的应用。其独特的TrenchFET技术和低热阻封装使其在高温和高频环境中表现出色。我们强烈推荐这一产品,尤其是对于需要高性能和高可靠性的应用场合。

K3770-01MR-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 50A
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@10V,48mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3770-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3770-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3770-01MR-VB K3770-01MR-VB数据手册

K3770-01MR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 2.419
1000+ ¥ 2.3183
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