处理中...

首页  >  产品百科  >  NDS8410-NL-VB

NDS8410-NL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: NDS8410-NL-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NDS8410-NL-VB

NDS8410-NL-VB概述

    NDS8410-NL N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NDS8410-NL 是一款适用于高侧同步整流操作的N沟道30-V(D-S)功率MOSFET,采用TrenchFET®技术。它广泛应用于笔记本电脑CPU核心的高侧开关。该产品具有无卤素环保特性,并且经过100%的Rg和UIS测试,确保稳定性和可靠性。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDS):30V
    - 最大连续漏极电流 (TJ = 150°C):9A (TA = 25°C), 7A (TA = 70°C)
    - 单脉冲雪崩电流:20A (L = 0.1 mH)
    - 雪崩能量:21mJ
    - 最大功率耗散:4.1W (TC = 25°C), 2.5W (TC = 70°C)
    - 工作温度范围:TJ, Tstg -55到150°C
    - 热阻参数
    - 最大结至环境热阻 (RthJA):39°C/W
    - 最大结至引脚 (结到漏极) 热阻 (RthJF):25°C/W
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 (VDS):30V
    - 门源阈值电压 (VGS(th)):1.0~3.0V
    - 零门电压漏极电流 (IDSS):1µA (VDS = 30V, VGS = 0V)
    - 开态漏极电流 (ID(on)):20A (VDS ≥ 5V, VGS = 10V)
    - 开态漏源电阻 (RDS(on)):0.008Ω (VGS = 10V, ID = 10A),0.011Ω (VGS = 4.5V, ID = 9A)

    产品特点和优势


    - 无卤素设计:满足环保要求,适用于对环境有严格要求的应用场合。
    - 优化高侧同步整流:特别适用于笔记本电脑CPU的核心高侧开关。
    - 可靠测试:100% Rg和UIS测试确保器件质量。
    - 高效能:低漏源电阻 (RDS(on)) 和优良的热管理特性,确保高效的电源转换和散热性能。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:笔记本电脑CPU核心的高侧开关。
    - 使用建议:
    - 在高频率应用中,注意MOSFET的热管理,确保良好的散热设计。
    - 在进行电路设计时,选择合适的栅极电阻 (Rg),以优化开关速度和减少损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于标准SO-8封装的板载安装,可以与现有的大多数电路板兼容。
    - 支持和服务:由VBsemi提供技术支持,确保用户在使用过程中能够得到及时的技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:功率耗散过大导致过热。
    - 解决方案:增加外部散热措施,如散热片或散热器,或者优化电路设计,降低功耗。
    - 问题2:开关时间不稳定。
    - 解决方案:检查电路连接和电源稳定性,调整栅极电阻 (Rg) 以优化开关特性。
    - 问题3:门源泄漏电流过高。
    - 解决方案:确保所有连接正确无误,并检查是否有外部干扰。

    总结和推荐


    NDS8410-NL MOSFET 在设计上具备出色的性能和可靠性,特别是在笔记本电脑CPU核心高侧开关的应用中表现出色。它具有优秀的热管理和低导通电阻,使其在高效率和小尺寸设计方面具有显著优势。对于需要高性能MOSFET的用户来说,这是一款值得推荐的产品。

NDS8410-NL-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 11A
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 15V
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@4.5V,17mΩ@2.5V
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
配置 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NDS8410-NL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NDS8410-NL-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NDS8410-NL-VB NDS8410-NL-VB数据手册

NDS8410-NL-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.1656
100+ ¥ 1.0793
500+ ¥ 1.0361
4000+ ¥ 0.9929
库存: 400000
起订量: 25 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:25
合计: ¥ 29.14
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504