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NCE3402-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
供应商型号: 14M-NCE3402-VB SOT23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE3402-VB

NCE3402-VB概述

    NCE3402 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    NCE3402 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道 30 伏特(D-S)功率 MOSFET。它采用先进的 TrenchFET® 技术制造,能够提供低导通电阻(RDS(on)),适用于多种电源管理和转换应用,例如直流到直流转换器(DC/DC Converter)。本产品具有无卤素材料和符合 RoHS 指令的环保特性。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏极-源极电压 | 30 V |
    | 门极-源极电压 | ±20 V |
    | 持续漏极电流(TJ=150°C) 6.5 A |
    | 瞬态漏极电流 | 25 A |
    | 最大功耗 1.7 W |
    | 最大结到环境热阻 90 | 115 | °C/W|
    | 静态门极-源极泄露电流 | ±100 nA |
    | 门极-源极阈值电压 | 0.7 | 2.0 | V |
    | 导通状态漏极电流 | 10 A |
    | 导通状态电阻 0.030| 0.033| Ω |
    | 输入电容 | 335 pF |
    | 输出电容 | 45 pF |
    | 反向转移电容 | 17 pF |
    | 总门极电荷 | 4.5 | 6.7 | nC |

    产品特点和优势


    - 无卤素材料:符合 IEC 61249-2-21 定义,保证环保和安全。
    - TrenchFET® 技术:显著降低导通电阻,提高效率。
    - 全面测试:100% RG 测试确保产品质量。
    - RoHS 合规:符合 2002/95/EC 指令,适用于广泛的应用领域。

    应用案例和使用建议


    NCE3402 适用于直流到直流转换器(DC/DC Converter)等电源管理应用。在设计电路时,考虑到其在高频率下的性能表现,建议选择合适的 PCB 布局来减少寄生电感,从而提升整体系统的性能。

    兼容性和支持


    NCE3402 具有良好的兼容性,可以与其他常见的电子元件和设备配合使用。VBsemi 提供技术支持和售后服务,用户可通过服务热线 400-655-8788 联系他们获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:产品出现过热现象。
    - 解决方案:检查散热措施是否到位,必要时增加散热片。

    - 问题:驱动电路输出不稳定。
    - 解决方案:确认驱动信号的波形和频率,适当调整门极电阻值。

    总结和推荐


    NCE3402 是一款高效、可靠的 N 沟道 MOSFET,特别适合用于需要低功耗和高可靠性的应用场合。它的环保特性以及优秀的性能表现使其在市场上具有很强的竞争力。建议在需要高效电源管理的应用中优先考虑使用此产品。
    综上所述,NCE3402 是一款值得推荐的产品,特别是在需要高效率和低功耗的应用中。

NCE3402-VB参数

参数
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 6.5A
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,33mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V~2.2V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NCE3402-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE3402-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE3402-VB NCE3402-VB数据手册

NCE3402-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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50+ ¥ 0.476
150+ ¥ 0.4248
500+ ¥ 0.3183
3000+ ¥ 0.3064
9000+ ¥ 0.2975
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