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NCEP85T25D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,80V,210A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: NCEP85T25D-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCEP85T25D-VB

NCEP85T25D-VB概述

    NCEP85T25D N-Channel 80V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NCEP85T25D 是一款采用沟槽型功率MOSFET技术的N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有多种特性和广泛的应用范围。该产品主要用于电源管理、电机驱动和其他高压电子系统中。它的主要功能包括:
    - 高效开关
    - 超低导通电阻(RDS(on))
    - 高耐压能力(80V)
    适用于如下应用场景:
    - 电源管理
    - 同步整流
    - 直流-直流转换器
    - 功率工具
    - 电机驱动
    - 电池管理系统

    2. 技术参数


    以下是NCEP85T25D的关键技术参数:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(VDS) | 80 | V |
    | 最大漏极电流(ID) | 215 | A |
    | 最小栅源电压(VGS) | ± 20 | V |
    | 最大栅源漏电流(IGSS) | ± 250 | nA |
    | 栅极电阻(Rg) | 0.28 ~ 2.8 | Ω |
    | 零栅电压漏极电流(IDSS)| 1 μA
    | 开启状态电阻(RDS(on)) | 0.0050 ~ 0.0095 | Ω |
    | 门限电压(VGS(th)) | 2 ~ 4 | V |
    | 典型输入电容(Ciss) | 7910 | pF |
    | 典型输出电容(Coss) | 3250 | pF |
    | 典型反向传输电容(Crss)| 348 | pF |

    3. 产品特点和优势


    NCEP85T25D 的独特优势在于:
    - TrenchFET® 技术:提高效率和降低功耗。
    - 高耐温性:最大结温可达175°C。
    - 低栅漏电荷(Qgd):减少功率损耗。
    - 可靠的测试标准:所有产品均通过100% Rg和UIS测试。

    4. 应用案例和使用建议


    NCEP85T25D 在不同应用场景下表现出色,例如:
    - 电源管理系统:用于同步整流,提高能效。
    - 电机驱动电路:提供高可靠性和低能耗。
    - 电池管理系统:确保稳定的工作环境。
    使用建议:
    - 确保电路设计符合VDS和ID的额定值。
    - 考虑适当的散热措施,特别是当在高温环境下工作时。

    5. 兼容性和支持


    NCEP85T25D 具有良好的兼容性,能够轻松集成到现有的电路设计中。制造商提供了详尽的技术支持,包括详细的规格书和技术文档。如有需要,客户可以联系台湾VBsemi的服务热线 400-655-8788 获取更多帮助和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问:如何避免过热损坏?
    - 答:使用散热片并确保良好散热。同时遵循绝对最大额定值的规定。
    - 问:如何进行快速关断?
    - 答:选择合适的栅极电阻和驱动器,确保足够的驱动电流以实现快速关断。

    7. 总结和推荐


    NCEP85T25D 是一款性能优异、可靠性高的N沟道MOSFET,适用于多种高要求的应用场景。其超低导通电阻、高耐压能力和优秀的温度稳定性使其成为电源管理和电机驱动的理想选择。强烈推荐在相关项目中使用此产品。
    请注意,尽管产品经过严格的测试,用户仍需仔细验证其适用性和操作条件,以确保最佳性能和可靠性。

NCEP85T25D-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 210A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 80V
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NCEP85T25D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCEP85T25D-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCEP85T25D-VB NCEP85T25D-VB数据手册

NCEP85T25D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 4.8596
500+ ¥ 4.6652
800+ ¥ 4.4709
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