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2SK2329S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: 2SK2329S-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2329S-VB

2SK2329S-VB概述


    产品简介


    产品名称:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
    产品型号:2SK2329S
    制造商:台湾VBsemi公司
    基本类型:平面沟槽栅场效应晶体管(TrenchFET® Power MOSFET)
    主要功能:通过控制栅极电压来调节漏极电流,实现电能传输和信号放大功能。
    应用领域:适用于电源管理、服务器、直流到直流转换等领域,特别适用于OR-ing电路中。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 | 30 V |
    | 漏极连续电流 | 8 | 25 | 90 | A |
    | 脉冲漏极电流 | 200 A |
    | 栅极泄漏电流 | ±100 nA |
    | 漏源电阻 | 0.007 0.009 | Ω |
    | 门极充电量 | 25 | 35 | 45 | nC |
    | 开启延时时间 | 18 | 27 ns |
    | 关闭延时时间 | 70 | 105 ns |

    产品特点和优势


    - 高可靠性:100% Rg和UIS测试,确保产品具有更高的可靠性。
    - 低导通电阻:在10V VGS条件下,导通电阻仅为0.007Ω,能够有效降低功耗。
    - 良好的热稳定性:最大结温达到175°C,且热阻抗相对较低。
    - 符合环保要求:完全符合欧盟RoHS指令2011/65/EU。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器电源管理:作为DC/DC转换器的一部分,用于提供高效的电源管理。
    - OR-ing电路:在多个电源系统中,通过2SK2329S可以有效地实现电源切换,避免电源间的相互干扰。
    使用建议
    - 散热设计:由于其热阻相对较高,在实际应用中需要考虑散热措施,如增加散热片或采用水冷等方式。
    - 驱动电路:为了减少开关损耗,建议使用合适的栅极驱动器,以快速充放电栅极电容。

    兼容性和支持


    - 兼容性:2SK2329S符合TO-252封装标准,易于集成到各种电路板设计中。
    - 支持:台湾VBsemi公司提供了详细的技术文档和支持服务,包括在线技术支持和产品更新信息。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热 | 优化散热设计或增加外置散热片 |
    | 漏极电流不稳定 | 检查驱动电路是否正常工作,调整驱动信号 |
    | 热阻抗过大导致过热 | 在散热设计上增加散热措施,例如水冷或其他高效散热方案 |

    总结和推荐


    2SK2329S N-Channel 30-V (D-S) MOSFET是一款高性能的功率MOSFET,具备优秀的导通特性和热稳定性。它的应用场景广泛,尤其适合于高可靠性要求的电源管理和服务器应用。虽然在某些情况下可能需要额外的散热措施,但其整体性能和可靠性使其成为许多系统的理想选择。总体而言,推荐使用此产品。

2SK2329S-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 70A
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK2329S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2329S-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2329S-VB 2SK2329S-VB数据手册

2SK2329S-VB封装设计

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