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2SK3643-ZK-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252\n该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
供应商型号: 2SK3643-ZK-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3643-ZK-VB

2SK3643-ZK-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
    本产品是一款采用TrenchFET®技术的N沟道功率MOSFET,具有卓越的电气特性和广泛的应用领域。这款产品适用于各种高要求的电源管理和控制应用,如OR-ing(或门)、服务器电源管理以及DC/DC转换等。

    技术参数


    - VDS (Drain-Source电压):30 V
    - RDS(on) (导通电阻):0.002 Ω @ VGS = 10 V,100 A时电流为100 A
    - ID (连续漏极电流):100 A @ TC = 25 °C,80 A @ TC = 70 °C
    - Pulsed Drain Current (脉冲漏极电流):300 A
    - Gate-Source Threshold Voltage (栅源阈值电压):1.5 V - 2.5 V
    - Continuous Source-Drain Diode Current (连续源漏二极管电流):90 A
    - Forward Diode Voltage (正向二极管电压):0.8 V - 1.2 V @ IS = 22 A
    - Reverse Recovery Time (反向恢复时间):52 ns - 78 ns
    - Gate Charge (总栅电荷):151 nC - 227 nC
    - 热阻参数:
    - 最大结到环境热阻:32 °C/W(最大),40 °C/W(最大)
    - 最大结到外壳热阻:0.5 °C/W(最大),0.6 °C/W(最大)

    产品特点和优势


    N-Channel 30-V MOSFET 具有多项独特的功能和优势,使其在市场上脱颖而出:
    - TrenchFET® 技术:此技术使得MOSFET在相同的封装尺寸下具备更高的性能和更低的导通电阻。
    - RoHS合规:产品符合欧盟的RoHS指令,确保环保合规性。
    - 100% Rg和UIS测试:所有产品均通过严格的电气特性测试,保证产品质量。
    - 广泛的电流范围和高可靠性:产品能够在广泛的温度范围内稳定运行,并且具有出色的热稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - OR-ing:用于多个电源之间的切换和冗余设计。
    - 服务器电源管理:提供高效稳定的电力供应。
    - DC/DC转换:适合于需要高效能量转换的场合。
    使用建议:
    - 在高电流应用中,建议采用散热片或其他散热措施来提高产品的可靠性和寿命。
    - 确保电路设计中留有足够的安全裕度,以避免过载情况发生。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可与其他标准封装的电子元件兼容,适用于各种电源管理电路的设计。
    - 支持:厂商提供了详尽的技术文档和支持,包括技术咨询和技术维护服务,帮助客户解决使用过程中的各种问题。

    常见问题与解决方案


    问题1:MOSFET出现过热现象。
    解决方案:检查电路设计是否合理,确保足够的散热措施;必要时可以增加外部散热器。
    问题2:电路中的MOSFET无法正常导通。
    解决方案:检查驱动电路是否正常,确保驱动信号符合MOSFET的参数要求;同时检查MOSFET的栅源电压是否足够高。
    问题3:电路中的MOSFET关断后仍有残留电压。
    解决方案:确保电路中存在适当的续流二极管,减少反向恢复对MOSFET的影响。

    总结和推荐


    N-Channel 30-V MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,特别适合应用于服务器电源管理和DC/DC转换等领域。其卓越的电气特性、出色的热稳定性以及广泛的电流范围使其成为众多工业应用的理想选择。综上所述,我们强烈推荐使用这款产品,以满足您的高要求应用需求。

2SK3643-ZK-VB参数

参数
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 100A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK3643-ZK-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3643-ZK-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK3643-ZK-VB 2SK3643-ZK-VB数据手册

2SK3643-ZK-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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