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NTB30N20T4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,40A,RDS(ON),48mΩ@10V,20Vgs(±V);3.3Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: NTB30N20T4G-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTB30N20T4G-VB

NTB30N20T4G-VB概述

    # N-Channel 200V MOSFET NTB30N20T4G 技术手册

    产品简介


    NTB30N20T4G 是一款由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd. 生产的N沟道200V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具有高耐热性能(最高可达175℃)和低热阻封装,特别适合在高频PWM(脉宽调制)电路中使用。NTB30N20T4G 主要应用于隔离式DC/DC转换器中作为初级侧开关。

    技术参数


    - 工作电压 (VDS): 最大值为200V
    - 漏极连续电流 (ID):
    - TC=25℃时,最大值为40A
    - TC=125℃时,最大值为25A
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 200V
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 2~4V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): 在160V, 0℃时为1μA,在160V, 125℃时为50μA,在160V, 175℃时为250μA
    - 导通状态漏极电流 (ID(on)): 在VDS≥15V, VGS=10V时为60A
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss): 2820pF
    - 输出电容 (Coss): 300pF
    - 反向传输电容 (Crss): 120pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 35nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 11nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 14nC
    - 门电阻 (RG): 2Ω
    - 热阻参数:
    - 结点至环境热阻 (RthJA): 40°C/W (铜质PCB)
    - 结点至外壳热阻 (RthJC): 1°C/W

    产品特点和优势


    NTB30N20T4G 的主要特点是其高效的 TrenchFET® 技术,这种技术使得它能够在高频率PWM电路中表现出色。此外,它还具备以下优势:
    - 高温工作能力: 能够在高达175℃的温度下稳定工作,适用于严苛的工业环境。
    - 低热阻封装: 极大地提升了散热性能,保证长时间运行下的稳定性。
    - RoHS合规: 符合环保标准,适合绿色制造和设计要求。
    - 快速开关性能: 优化的PWM性能使其非常适合用于需要快速开关的应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 隔离式DC/DC转换器:
    - NTB30N20T4G 作为初级侧开关使用,可以显著提高转换效率和可靠性。特别是在电源管理模块中,如服务器、电信设备等场合。

    使用建议
    - 散热设计:
    - 在高功率应用中,必须设计良好的散热系统以确保其正常工作。例如,采用大面积铜箔PCB板。
    - 驱动电路:
    - 使用专用的MOSFET驱动芯片,以减少开关损耗和提高效率。合适的栅极电阻选择也很关键,可以减少开关时间。

    兼容性和支持


    - 兼容性:
    - NTB30N20T4G 与大多数常见的直流-直流转换器控制IC相兼容,适用于多种应用场景。
    - 支持和服务:
    - VBsemi 提供全面的技术支持和售后维护,帮助客户解决使用过程中遇到的各种问题。如果需要更详细的文档和技术资料,可以通过服务热线400-655-8788获取。

    常见问题与解决方案


    - 问题一: 开关速度慢
    - 解决方案: 检查栅极驱动电阻设置是否正确,适当减小栅极电阻以加快开关速度。
    - 问题二: 温度过高
    - 解决方案: 优化散热设计,如增加散热片面积或采用散热硅脂等。

    总结和推荐


    综上所述,NTB30N20T4G MOSFET 在多个方面表现优异,特别是在高温和高频应用中。它不仅具备高可靠性,还提供了卓越的性能。因此,对于需要高性能和稳定性的电源管理应用,强烈推荐使用这款产品。无论是在工业自动化、通信设备还是医疗设备中,NTB30N20T4G 都是一个可靠的选择。

NTB30N20T4G-VB参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 40A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 200V
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.3V
Rds(On)-漏源导通电阻 48mΩ@ 10V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTB30N20T4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTB30N20T4G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTB30N20T4G-VB NTB30N20T4G-VB数据手册

NTB30N20T4G-VB封装设计

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