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2SK2599_06-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: 2SK2599_06-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2599_06-VB

2SK2599_06-VB概述

    2SK259906-VB N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    2SK259906-VB 是一款由 VBsemi 推出的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品具有低门极电荷(Low Gate Charge Qg)的特点,这使其驱动需求相对简单。它的主要功能包括提供高效的开关性能和强大的瞬态鲁棒性,适用于多种电力转换和驱动电路。

    技术参数


    以下是2SK259906-VB的技术参数:
    - 漏源电压(VDS): 650V
    - 导通电阻(RDS(on)): 2.5Ω(VGS = 10V)
    - 总门极电荷(Qg(max)): 48nC
    - 门极-源极电荷(Qgs): 12nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd): 19nC
    - 最大功耗(PD): 30W(TC = 25°C)
    - 最大结到外壳热阻(RthJC): 2.1°C/W
    - 工作温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 重复脉冲雪崩电流(IAR): 4A
    - 重复脉冲雪崩能量(EAR): 6mJ

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷:简化了驱动要求,降低了驱动电路的成本和复杂性。
    2. 高可靠性:具备良好的栅极、雪崩和动态dv/dt鲁棒性,确保了长时间稳定运行。
    3. 全特性描述:提供了全面的电容和雪崩电压、电流特性,便于用户评估和应用。
    4. 环保合规:符合RoHS标准,无铅环保。

    应用案例和使用建议


    2SK259906-VB 可广泛应用于各种电力转换系统,如开关电源、电机驱动、逆变器等。具体使用建议如下:
    - 开关电源设计:由于其较低的RDS(on),可以有效降低功率损耗,提高效率。
    - 电机驱动电路:高雪崩电流和能量特性,适合驱动大功率电机,减少发热。
    - 逆变器设计:耐高温特性和快速恢复时间使其非常适合于逆变器应用。

    兼容性和支持


    该产品具有良好的兼容性,适用于大多数工业级应用场合。VBsemi公司提供了详细的文档和支持服务,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何优化驱动电路以提高效率?
    - A: 确保驱动电路设计中门极电阻选择合理,避免不必要的延迟时间。参考手册中的门极充电测试电路(图13b)进行调试。
    - Q: 在高温环境下如何保证产品的稳定性?
    - A: 遵循手册中提供的最高工作温度限制,并确保良好的散热措施。通过增加散热片或使用热管冷却来提高散热效率。
    - Q: 如何正确测量雪崩特性?
    - A: 使用正确的测试电路(图12a 和 图12b),并遵循手册中规定的测试条件进行测试。

    总结和推荐


    总体而言,2SK259906-VB是一款出色的N-Channel MOSFET,以其低门极电荷、高可靠性及广泛的适用性,在电力转换领域表现出色。推荐使用此产品在需要高效、可靠的电力转换系统的应用场景中。此外,VBsemi 提供的详尽支持和文档资料为用户的开发和维护提供了充分保障。

2SK2599_06-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 4A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK2599_06-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2599_06-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2599_06-VB 2SK2599_06-VB数据手册

2SK2599_06-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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1000+ ¥ 1.8212
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