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K4P55D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) \n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: K4P55D-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4P55D-VB

K4P55D-VB概述

    K4P55D N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    K4P55D 是一款由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd. 生产的 N-通道金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET)。这款 MOSFET 以其低栅极电荷、增强的栅极和动态 dv/dt 耐久性而著称,适用于高效率和高性能的电力转换系统。它具有全面表征的电容和雪崩电压电流特性,并符合 RoHS 指令要求。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 650 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±30 V
    - 连续漏极电流 \( ID \): TC = 25°C 时为 5 A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 120 mJ
    - 最大功耗 \( PD \): TC = 25°C 时为 205 W
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 650 V ( \( V{GS} = 0 \), \( ID = 250 \mu A \))
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.0 - 4.0 V ( \( V{DS} = V{GS} \), \( ID = 250 \mu A \))
    - 零栅压漏电流 \( I{DSS} \): \( V{DS} = 650 \text{V}, V{GS} = 0 \text{V} \)
    - 动态特性
    - 输入电容 \( C{iss} \): 320 pF ( \( V{GS} = 0 \text{V}, V{DS} = 25 \text{V}, f = 1.0 \text{MHz} \))
    - 输出电容 \( C{oss} \): 75 pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 15 nC ( \( V{GS} = 10 \text{V}, ID = 2.5 \text{A}, V{DS} = 400 \text{V} \))
    - 封装
    - TO-220AB、TO-252 和 TO-251 封装

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷: 使得驱动需求简单化,从而降低了功耗。
    - 增强的耐久性: 包括栅极、雪崩和动态 dv/dt 的耐久性。
    - 全面表征的电容和电压电流特性: 确保在不同条件下的可靠性。
    - 符合 RoHS 指令: 环保材料保证了产品的合规性。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 适用于高效率电源转换器、电机驱动器和逆变器等。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时应注意散热管理,以避免过高的温度影响性能。
    - 确保正确的栅极驱动信号,避免因 dv/dt 过大导致器件损坏。
    - 使用适当的 PCB 设计,减少寄生电感,提高系统稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 与其他标准 N-Channel MOSFET 封装兼容。
    - 支持: 厂商提供详细的技术文档和技术支持,确保用户能够充分利用产品的性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 栅极电压过高导致击穿
    - 解决方法: 确保栅极驱动信号不超过额定值,使用合适的驱动电路。
    - 问题2: 散热不良导致过热
    - 解决方法: 加强散热措施,如使用高效散热器或优化 PCB 布局。

    总结和推荐


    K4P55D MOSFET 在技术规格和性能方面表现出色,尤其是在低栅极电荷和增强耐久性方面。它适用于多种工业应用,特别是需要高效率和可靠性的场合。综上所述,推荐使用 K4P55D MOSFET,特别是在需要高性能和环保的产品中。

K4P55D-VB参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 5A
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K4P55D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4P55D-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4P55D-VB K4P55D-VB数据手册

K4P55D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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型号 价格(含增值税)
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