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K3120-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,6.8A,RDS(ON),33mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.9Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: K3120-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3120-VB

K3120-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款适用于便携式设备负载开关的高性能功率 MOSFET。这款 MOSFET 采用先进的 TrenchFET® 技术制造,具有低导通电阻和高电流处理能力。主要应用于便携式电子设备的负载开关,提供高效且可靠的电力管理解决方案。

    2. 技术参数


    以下是 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 30 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 0.6 | 1.5 | - | V |
    | 漏极连续电流(TJ = 150°C) | ID | 2.1 | 6.8 | 6 | A |
    | 最大功耗 | PD | 2.5 | 6.3 | 4 | W |
    | 热阻抗(结到环境) | RthJA | - | 40 | 50 | °C/W |
    | 热阻抗(结到脚(漏极)) | RthJF | - | 15 | 20 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    - Halogen-free:符合RoHS标准,无卤素,环保安全。
    - TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽场效应技术,实现低导通电阻和高电流处理能力。
    - 低导通电阻:VGS = 4.5 V 时,RDS(on) = 0.022 Ω;VGS = 2.5 V 时,RDS(on) = 0.030 Ω。
    - 高可靠性:耐高温和低温,工作温度范围宽泛(-55°C 到 150°C)。

    4. 应用案例和使用建议


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 广泛应用于便携式电子设备的负载开关,例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。这些设备需要高效的电源管理和长电池寿命,MOSFET 在这类应用中能够提供稳定的电力控制。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保 MOSFET 工作在其额定电流和电压范围内。
    - 使用适当的散热措施以避免热失控。
    - 在高频应用中,考虑寄生电容和电感的影响,适当调整栅极驱动电阻。

    5. 兼容性和支持


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 采用标准的 SOT89 封装,易于与其他标准电子元器件集成。制造商提供了详尽的技术支持文档和在线资源,帮助用户进行产品选型和电路设计。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:长时间高功率运行导致 MOSFET 过热。
    解决方案:增加散热片,或者选择更高散热能力的封装。
    - 问题:栅极驱动不稳定导致 MOSFET 失效。
    解决方案:确保栅极驱动信号稳定,并使用合适的栅极电阻。

    7. 总结和推荐


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 在便携式设备中表现出色,其低导通电阻、高可靠性以及广泛的温度适应性使其成为同类产品中的佼佼者。我们强烈推荐这款 MOSFET 用于需要高效电源管理和可靠电力控制的应用场合。
    本技术手册详细介绍了 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 的各项技术和应用细节,为电子工程师提供了全面的信息参考。希望这份手册能帮助您更好地理解和应用这款高性能 MOSFET。

K3120-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Id-连续漏极电流 6.8A
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@10V,45mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 900mV
配置 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3120-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3120-VB数据手册

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K3120-VB封装设计

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