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NDS9943-NL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款双 N 型和 P 型沟道功率 MOSFET,采用槽沟技术制造。该产品具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用。封装为 SOP8,易于安装和集成,适用于各种电路设计。±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V)
供应商型号: NDS9943-NL-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NDS9943-NL-VB

NDS9943-NL-VB概述

    # N-Channel and P-Channel 30V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NDS9943-NL 是一款高性能的N沟道和P沟道30V(D-S)MOSFET,适用于多种电机驱动和便携式电源银行应用。这款MOSFET采用先进的TrenchFET技术制造,具有高可靠性、低导通电阻和出色的热性能。

    技术参数


    N-Channel

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 30 | - | - | V |
    | 导通状态漏源电阻 | RDS(on) | - | 0.018 | - | Ω |
    | 连续漏电流 | ID | 6.8 | - | - | A |
    | 门源泄漏电流 | IGSS | -100 | - | 100 | nA |
    | 零门电压漏电流 | IDSS | -1 | - | 1 | μA |
    | 转换电容 | Ciss | - | 510 | - | pF |
    | 输入电荷 | Qg | - | 6 | 10 | nC |
    P-Channel

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 漏源击穿电压 | VDS | -30 | - | - | V |
    | 导通状态漏源电阻 | RDS(on) | - | 0.040 | - | Ω |
    | 连续漏电流 | ID | 6.6 | - | - | A |
    | 门源泄漏电流 | IGSS | -100 | - | 100 | nA |
    | 零门电压漏电流 | IDSS | -1 | - | 1 | μA |
    | 转换电容 | Ciss | - | 620 | - | pF |
    | 输入电荷 | Qg | - | 41.5 | 63 | nC |

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:确保低导通电阻和高效率。
    - 全检合格:通过了全部的Rg和UIS测试。
    - 符合RoHS标准:无卤素,符合环保要求。
    - 宽工作温度范围:-55°C到150°C,适用于各种极端环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电机驱动:适用于需要高效能和低功耗的应用。
    2. 便携式电源银行:用于手机充电器和其他便携式设备。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计,以保持MOSFET的工作稳定性。
    - 尽量避免超过绝对最大额定值,以防造成永久损坏。
    - 使用时确保门极驱动信号稳定,避免信号噪声引起的误动作。

    兼容性和支持


    - NDS9943-NL 具有标准的SO-8封装,易于与其他电路板组件集成。
    - 厂商提供全面的技术支持和维护服务,包括在线资源和技术文档。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何测量导通状态下的漏源电阻?
    答:使用万用表,在VGS设置为指定值(如10V)下测量漏源之间的电阻。
    2. 问:如何避免过压损坏?
    答:使用外部保护电路或稳压器,确保VDS不超过最大额定值。
    3. 问:如何确定最佳的门极驱动电压?
    答:参考技术手册中的转移特性图,根据实际应用需求选择合适的VGS。

    总结和推荐


    综合评估
    - NDS9943-NL 具有优异的性能和可靠性,适用于广泛的工业应用。
    - 低导通电阻和高效率使得其在功率管理方面表现出色。
    - 标准的SO-8封装便于集成,厂商提供的技术支持使其成为可靠的选择。
    推荐使用
    综上所述,NDS9943-NL 是一款值得推荐的产品,特别是在需要高效能和低功耗的场合。对于任何需要高质量N沟道和P沟道MOSFET的应用,NDS9943-NL 都是一个理想的选择。

NDS9943-NL-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.65V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 ±30V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 9A,6A
FET类型 N+P沟道
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NDS9943-NL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NDS9943-NL-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NDS9943-NL-VB NDS9943-NL-VB数据手册

NDS9943-NL-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
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4000+ ¥ 1.1597
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