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IRF5810TRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-1.2~-2.2Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: IRF5810TRPBF-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF5810TRPBF-VB

IRF5810TRPBF-VB概述

    IRF5810TRPBF 双沟道P沟道20V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF5810TRPBF 是一款双沟道P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于便携式应用的负载开关和电池开关。它特别适用于计算机中的总线开关和负载开关。本产品以其低导通电阻和高可靠性而闻名,非常适合需要高效功率管理的应用。

    技术参数


    | 参数 | 描述 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS(漏源电压) | 漏源极间电压 | - | -20 | - | V |
    | RDS(on)(导通电阻) | 导通时漏源极间的电阻 | - | 0.075 | 0.100 | Ω |
    | ID(连续漏电流) | 漏极连续电流 | - | -4.0 | - | A |
    | Qg(栅电荷) | 总栅电荷 | - | 2.7 | 4.0 | nC |
    | 热阻抗(RthJA) | 结点到环境的最大热阻 | - | 93 | 110 | °C/W |
    | 闸门电阻(Rg) | 闸门电阻 | 2 | 7 | 14 | Ω |

    产品特点和优势


    - Halogen-free:符合IEC 61249-2-21标准,无卤素材料,环保。
    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的TrenchFET技术,具有更低的导通电阻。
    - 100% Rg Tested:100%经闸门电阻测试,确保产品质量可靠。
    - Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC:符合欧盟RoHS指令要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:应用于便携式设备,如手机、平板电脑等。
    - 电池开关:适用于便携式电子设备,用于控制电池充放电过程。
    - 计算机:作为计算机中的总线开关和负载开关。
    使用建议
    - 温度管理:在高功率应用中,应确保良好的散热措施,以避免过热。
    - 驱动电路:使用适当的驱动电路以优化性能,减少延迟时间。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与现有便携式设备和计算机系统兼容。
    - 技术支持:提供全面的技术支持,包括产品安装、调试和故障排除指导。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热 | 加装散热片或外部风扇,确保良好散热 |
    | 延迟时间长 | 调整驱动电路参数,降低输入电阻 |
    | 功率损失增加 | 检查焊接质量和接触电阻,确保接触良好 |

    总结和推荐


    综合评估:IRF5810TRPBF 是一款高效、可靠的P沟道MOSFET,尤其适合便携式设备和计算机中的负载开关应用。它的低导通电阻和环保特性使其成为许多应用的理想选择。
    推荐使用:鉴于其出色的性能和广泛的适用性,我们强烈推荐在需要高效功率管理和良好散热性能的应用中使用IRF5810TRPBF。

IRF5810TRPBF-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 12V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
Id-连续漏极电流 4A
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1.2V~-2.2V
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF5810TRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF5810TRPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF5810TRPBF-VB IRF5810TRPBF-VB数据手册

IRF5810TRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.7779
100+ ¥ 0.7203
500+ ¥ 0.6915
3000+ ¥ 0.6627
库存: 400000
起订量: 35 增量: 3000
交货地:
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型号 价格(含增值税)
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