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JCS2N65CB-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: JCS2N65CB-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS2N65CB-VB

JCS2N65CB-VB概述

    JCS2N65CB-VB MOSFET 技术手册概览

    产品简介


    JCS2N65CB-VB 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电压和大电流的应用场景。该产品广泛应用于电源转换、电机控制、逆变器及各类工业控制系统等领域。

    技术参数


    以下是 JCS2N65CB-VB 的主要技术参数列表:
    | 参数 | 数值 | 单位 |
    |
    | 栅极-源极击穿电压 | 650 | V |
    | 漏极-源极击穿电压 | 650 | V |
    | 栅极-源极阈值电压 | 2.0 - 4.0 | V |
    | 漏极-源极导通电阻 | 4.0 | Ω |
    | 有效输出电容 | - | nF |
    | 栅极电荷 | 11 | nC |
    | 最大脉冲栅极电荷 | 11 | nC |
    | 栅极-源极电荷 | 2.3 | nC |
    | 栅极-漏极电荷 | 5.2 | nC |
    | 最大脉冲电流 | 8 | A |
    | 工作温度范围 | -55 至 +150 | °C |
    | 节点到环境热阻 | 65 | °C/W |
    | 节点到外壳热阻 | 2.1 | °C/W |

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:JCS2N65CB-VB 具有较低的栅极电荷(Qg),这使得驱动简单,降低了功耗和发热。
    2. 坚固性:具有改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐受性,适合恶劣的工作环境。
    3. 完全特性化:包括完全的电容和雪崩电压、电流特性,确保可靠性和一致性。
    4. 环保合规:符合欧盟 RoHS 指令,绿色且安全。

    应用案例和使用建议


    - 电源转换器:用于高效转换高电压为低电压,适用于服务器、通信设备等。
    - 电机控制:提供高效的马达驱动,确保快速响应和精确控制。
    - 逆变器:实现高效的电力变换,常用于太阳能逆变器和电动车辆的充电系统。
    使用建议:
    1. 确保良好的散热设计以避免过热。
    2. 适当选择栅极电阻,以优化开关速度和降低损耗。
    3. 在高温环境下使用时,需注意最大允许的脉冲电流和电压,防止损坏。

    兼容性和支持


    - 与大多数标准电源管理 IC 和控制器兼容。
    - 提供详细的技术文档和支持服务,包括在线论坛和技术热线,确保用户能够得到及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品过热
    - 解决方案:增加散热措施,如采用更好的散热片或增强风冷。
    2. 问题:开关损耗高
    - 解决方案:优化电路布局,减少寄生电感,选择合适的栅极电阻。
    3. 问题:启动困难
    - 解决方案:检查驱动电压是否达到要求,确认无短路。

    总结和推荐


    综上所述,JCS2N65CB-VB MOSFET 是一款高性能、可靠的电子元件,特别适用于需要处理高电压和大电流的应用场合。其独特的设计使其在性能和可靠性方面均表现出色,值得推荐使用。

JCS2N65CB-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 2A
Rds(On)-漏源导通电阻 3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS2N65CB-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS2N65CB-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS2N65CB-VB JCS2N65CB-VB数据手册

JCS2N65CB-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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型号 价格(含增值税)
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