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FS830BT-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: FS830BT-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FS830BT-VB

FS830BT-VB概述


    产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)
    Power MOSFET是现代电力电子设备中常用的一种高效率开关元件。它以其低损耗、快速响应和高集成度等特点在众多应用中展现出强大的优势。这款器件广泛应用于服务器和电信电源系统、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应和照明等领域。

    技术参数


    以下是从技术手册中提取的技术参数和性能指标:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏极-源极击穿电压(VDS) | 650 | - | - | V |
    | 栅极-源极阈值电压(VGS(th)) | 2.5 | - | 5 | V |
    | 漏极-源极导通电阻(RDS(on)) | - | 1.0 | - | Ω |
    | 输出电容(Coss) | - | - | - | pF |
    | 栅极总电荷(Qg) | - | 16 | - | nC |
    | 输入电容(Ciss) | - | - | - | pF |
    | 雪崩能量(EAS) | 97 | - | - | mJ |
    | 极限连续漏极电流(ID) | - | - | - | A |

    产品特点和优势


    该款Power MOSFET的主要优势包括:
    - 低FOM (Figure of Merit):Ron x Qg的值很低,意味着在保证性能的同时能够降低功率损耗。
    - 低输入电容(Ciss):减少栅极驱动电路的损耗,提高整体效率。
    - 超低栅极电荷(Qg):加速开关速度,减少能耗。
    - 高可靠性:在高脉冲和高温环境下仍能保持稳定的工作状态。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源:用于高效电源转换,显著提升系统的可靠性和效率。
    - 工业控制:例如在大型电机和电动机的驱动系统中,保证稳定的电力输出。
    使用建议
    - 在设计电路时要充分考虑散热,以避免由于温度过高导致器件损坏。
    - 确保驱动电路的栅极驱动电阻选择恰当,以优化开关时间,减少能耗。

    兼容性和支持


    该Power MOSFET采用了TO-220 Fullpak封装,与多种常见的焊接设备和工艺兼容。制造商提供了详尽的技术支持和维护文档,客户可以获取详细的设计指南和故障排除手册,确保顺利安装和使用。

    常见问题与解决方案


    问题1
    栅极电压不足导致无法正常开启
    解决方法
    确保驱动电路的电压输出在额定范围内,必要时增加驱动电路的供电电压。
    问题2
    过热保护触发
    解决方法
    检查散热设计是否合理,确保有足够的散热措施,如增加散热片或强制风冷。

    总结和推荐


    综上所述,这款Power MOSFET凭借其卓越的性能和可靠性,特别适用于服务器和电信电源系统、开关模式电源供应和工业控制系统。建议在需要高效、低损耗的电力转换场合优先选用此款器件。

FS830BT-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 7A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FS830BT-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FS830BT-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FS830BT-VB FS830BT-VB数据手册

FS830BT-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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