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IRFB4103PBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,200V,30A,RDS(ON),110mΩ@10V,125mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~3Vth(V) 封装:TO220适用于各种电源管理和功率控制应用。其高额定漏极-源极电压、低阈值电压和高导通电流使其在多种场合下都表现出色。
供应商型号: IRFB4103PBF-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFB4103PBF-VB

IRFB4103PBF-VB概述

    IRFB4103PBF-VB 技术手册

    产品简介


    IRFB4103PBF-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具备卓越的电气特性和高可靠性。它主要用于电源转换电路中的初级侧开关,广泛应用于通信设备、工业自动化系统、电机驱动等领域。

    技术参数


    - 主要参数
    - 漏源电压(VDS):200 V
    - 栅极阈值电压(VGS(th)):1 V
    - 零栅压漏电流(IDSS):50 µA @ 175 °C
    - 导通电阻(RDS(on)):0.130 Ω @ 10 V栅压、3 A电流
    - 连续源电流(IS):12 A
    - 最大脉冲源电流(ISM):70 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):20 mJ
    - 电气特性
    - 最大栅极电阻(Rg):2.9 Ω
    - 总栅极电荷(Qg):34 - 51 nC
    - 输入电容(Ciss):1800 pF
    - 输出电容(Coss):180 pF
    - 反向传输电容(Crss):80 pF
    - 热阻参数
    - 结到环境热阻(RthJA):15 - 18 °C/W
    - 结到外壳热阻(RthJC):0.85 - 1.1 °C/W
    - 工作环境
    - 最大结温(TJ):175 °C
    - 存储温度范围(Tstg):-55至175 °C

    产品特点和优势


    IRFB4103PBF-VB 具备以下独特功能和优势:
    - TrenchFET® 功率MOSFET:采用先进的沟槽技术,显著降低导通电阻和开关损耗。
    - 高温稳定性:能够在高达175°C的结温下稳定工作。
    - PWM优化:专为脉宽调制(PWM)设计,提高系统的效率和可靠性。
    - 全面测试:100%的栅极电阻(Rg)测试,确保产品质量。
    - 环保材料:符合RoHS指令,无铅化设计,绿色环保。

    应用案例和使用建议


    应用场景:IRFB4103PBF-VB 常用于电源转换器中的初级侧开关,例如DC-DC转换器、电池充电器和LED驱动器。这些应用场景要求设备具有高效、可靠的开关能力,IRFB4103PBF-VB 完美契合这些需求。
    使用建议:
    - 确保散热设计合理,避免因过热而导致器件失效。
    - 注意栅极驱动电路的设计,避免电压过冲和欠驱。
    - 在使用时应注意器件的工作温度范围,特别是在高温环境下要特别关注。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRFB4103PBF-VB 与常见的电源管理IC和其他电子元器件兼容,适合集成到各种电源管理系统中。
    - 支持:VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,包括产品手册、应用指南和技术咨询,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何避免栅极驱动过冲?
    - A: 使用合适的栅极电阻(Rg)并选择合适的驱动电路,如采用隔离驱动器。

    - Q: 如何优化散热设计?
    - A: 选择适当的散热片并确保良好的热传导路径,建议使用大表面积的散热片以提高散热效果。
    - Q: 高温环境下工作需要注意什么?
    - A: 确保器件在规定的温度范围内工作,避免超温运行。可以考虑使用专门的高温保护电路来监测和保护器件。

    总结和推荐


    综合评估:IRFB4103PBF-VB 是一款高效、可靠且易于使用的N沟道功率MOSFET,特别适用于需要高功率密度和高性能的电源转换应用。其高温稳定性、PWM优化特性使其在市场上具有较强的竞争力。
    推荐使用:强烈推荐在各种电力电子应用中使用IRFB4103PBF-VB,特别是需要高可靠性、高效率和高功率密度的场合。对于希望优化系统性能和降低开发成本的工程师来说,这是一个理想的选择。

IRFB4103PBF-VB参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 110mΩ@10V,125mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Id-连续漏极电流 30A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~3V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFB4103PBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFB4103PBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFB4103PBF-VB IRFB4103PBF-VB数据手册

IRFB4103PBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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