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NTD3813NT4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: NTD3813NT4G-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD3813NT4G-VB

NTD3813NT4G-VB概述

    NTD3813NT4G N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTD3813NT4G 是一款由 VBsemi 公司生产的 N 沟道 30-V(D-S)MOSFET。作为 TrenchFET® 功率 MOSFET 的一员,它具有出色的性能和可靠性。这种器件广泛应用于电源管理、服务器系统、以及直流-直流转换器等领域。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):30 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - 在 TJ = 25 °C 下为 8 A
    - 在 TJ = 70 °C 下为 1 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):200 A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):39 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):94.8 mJ
    - 最大功率耗散 (PD):
    - 在 TJ = 25 °C 下为 100 W
    - 在 TJ = 70 °C 下为 75 W
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):
    - 最大值:40 °C/W
    - 额定值:32 °C/W
    - 最大结到外壳稳态热阻 (RthJC):0.5-0.6 °C/W
    - 阈值电压 (VGS(th)):1.5-2.0 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = 10 V 下为 0.007 Ω
    - 在 VGS = 4.5 V 下为 0.009 Ω

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 技术:提高了电流密度,降低了导通电阻。
    2. 全检测试:保证器件的可靠性和一致性。
    3. 符合 RoHS 指令:环保材料,适用于现代电子产品制造。
    4. 宽温度范围:可在 -55 至 175 °C 范围内稳定工作。

    应用案例和使用建议


    - OR-ing 应用:可以作为高效能的切换器件,提高系统效率。
    - 服务器系统:在高密度计算环境中提供可靠的电源管理。
    - 直流-直流转换器:降低损耗,提高转换效率。
    使用建议:
    - 确保电路板设计合理,以实现良好的散热。
    - 根据实际应用场景调整工作电压和电流,避免超负荷运行。

    兼容性和支持


    - 封装:采用 TO-252 封装,易于安装。
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术支持文档和客户服务热线(400-655-8788),确保用户能够顺利进行产品应用和维护。

    常见问题与解决方案


    1. 问:长时间高功率使用后发热严重?
    - 解决方案:增加外部散热措施,如加装散热片或风扇。
    2. 问:频繁开关导致器件损坏?
    - 解决方案:优化电路设计,减少开关频率或使用具有更好耐受性的型号。
    3. 问:器件响应速度慢?
    - 解决方案:检查驱动电路,确保驱动电压和电阻值符合要求。

    总结和推荐


    NTD3813NT4G MOSFET 具有出色的性能和高可靠性,非常适合用于多种电力电子应用。其独特的 TrenchFET® 技术和全检测试保证了其卓越的表现。无论是应用于电源管理系统还是服务器系统,都表现出色。强烈推荐在需要高性能和高可靠性的应用中选用这款产品。

NTD3813NT4G-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 70A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTD3813NT4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD3813NT4G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTD3813NT4G-VB NTD3813NT4G-VB数据手册

NTD3813NT4G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.2606
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