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UM4304-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n该产品为单体N型MOSFET,具有以下特性:\n- 最大漏极电压(VDS)为30V,适用于中等功率应用。\n- 最大门源电压(VGS)为±20V,兼容多种驱动电路。\n- 阈值电压(Vth)为1.7V,具有良好的开关特性。\n- 在VGS=4.5V时,导通电阻为5m?;在VGS=10V时,导通电阻为4m?,具有低导通电阻和低开关损耗。\n- 最大漏极电流(ID)为18A,可满足多种应用场景的电流需求。\n- 采用Trench工艺,具有优异的热特性和可靠性。\n- 封装为SOP8,便于PCB布局和焊接。
供应商型号: UM4304-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UM4304-VB

UM4304-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V MOSFET UM4304
    UM4304是一款N沟道30伏特的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用TrenchFET®功率MOSFET技术,适用于高边同步整流操作。此款MOSFET广泛应用于笔记本电脑CPU核心的高边开关中。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):30V
    - 最大连续漏极电流 (ID):在TC=25°C时为18A;在TC=70°C时为16A
    - 导通电阻 (RDS(on)):在VGS=10V时为0.004Ω;在VGS=4.5V时为0.005Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):在VDS=15V时为6.8至23nC
    - 阈值电压 (VGS(th)):1.0至3.0V
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55至150°C
    - 最大功率耗散 (PD):在TC=25°C时为4.5W;在TC=70°C时为2.8W
    - 热阻:在TC=25°C时为38至50°C/W(结到环境);在TC=25°C时为22至28°C/W(结到引脚)

    产品特点和优势


    - 环保设计:无卤素,符合RoHS和Halogen-free标准。
    - 优化的高边同步整流:适合高边开关应用。
    - 测试保证:100% Rg测试和100% UIS测试确保产品质量。
    - 低导通电阻:在高电流下具有极低的导通电阻,提高了效率。
    - 高性能电容特性:低输入电容和输出电容,改善了开关速度和驱动能力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 笔记本电脑CPU核心:用于高边开关电路,提高系统的整体能效。

    使用建议
    - 在高边开关电路中,选择合适的栅极电阻以控制开关速度和降低EMI干扰。
    - 确保散热良好,避免过热导致的损坏。建议在PCB设计中加入额外的散热措施,如铜箔填充。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于大多数常见的电源管理电路和逆变器设计。
    - 支持:提供详细的技术文档和技术支持,确保客户在使用过程中能够获得必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方法 |

    | 开关频率过高导致过热 | 降低开关频率或增加散热措施 |
    | 高边开关不正常工作 | 检查栅极电阻和电压是否正确设置 |

    总结和推荐


    综上所述,UM4304是一款高效且可靠的N沟道MOSFET,适用于高边开关的应用场景。其低导通电阻和优秀的电气特性使其成为高性能电源管理和逆变器的理想选择。建议在需要高效率和可靠性设计的应用中选用此产品。
    推荐等级:★★★★☆
    - 优点:高可靠性,低导通电阻,适用于多种应用场景。
    - 不足:需注意散热问题,避免过热引起的故障。

UM4304-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 18A
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.72V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UM4304-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UM4304-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UM4304-VB UM4304-VB数据手册

UM4304-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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