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K2037-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,20V,4A,RDS(ON),45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V,12Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SC70-3在电动工具控制器中,可用作电机驱动器件,通过其高压承受能力和低导通电阻,实现电动工具的高效驱动和性能提升。
供应商型号: K2037-VB SC70-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2037-VB

K2037-VB概述


    产品简介


    产品类型
    N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 是一款基于沟槽技术(TrenchFET®)的功率场效应晶体管,适用于便携式电子设备和电源管理应用。
    主要功能
    该产品以其高效率和低导通电阻(RDS(on))而闻名,能够实现高效的开关操作,同时提供出色的热管理和保护功能。其应用领域包括负载开关、电池切换以及电机、继电器和电磁阀的驱动。
    应用领域
    - 便携式设备
    - 负载开关
    - 电池切换
    - 电机、继电器和电磁阀驱动

    技术参数


    以下是该电子元器件的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | 20 | - | V |
    | 栅极-源极阈值电压 | VGS(th) | 0.6 | 1.3 | - | V |
    | 零栅极电压漏极电流 | IDSS | - | 1 | 10 | µA |
    | 开态漏极电流(典型值) | ID(on) | 15 | - | - | A |
    | 开态漏极-源极电阻 | RDS(on) | 0.036 | - | 0.048 | Ω |
    | 栅极电荷 | Qg | 4 | 8.8 | 13.5 | nC |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd | 1.1 | - | - | nC |
    | 栅极电阻 | Rg | 0.4 | 2 | 4 | kΩ |
    | 开启延迟时间 | td(on) | 0.29 | 0.58 | - | µs |
    | 关闭延迟时间 | td(off) | 1.9 | 3.8 | - | µs |
    | 漏极-源极体二极管电压 | VSD | 0.85 | - | 1.2 | V |

    产品特点和优势


    - Halogen-free:符合IEC 61249-2-21定义,环保无卤素。
    - TrenchFET® 技术:先进的沟槽结构,显著降低导通电阻,提高效率。
    - 高可靠性:典型ESD保护2000 V HBM,确保长期稳定运行。
    - 兼容性强:100% Rg测试通过,支持多种应用场景。
    - 温度适应性:-55℃至150℃的工作温度范围,适用于恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 便携式设备:用于电池管理系统中的负载开关。
    - 电机驱动:适用于小型电机控制,减少功耗并提高效率。
    - 继电器和电磁阀驱动:支持快速响应和稳定的开关性能。
    使用建议
    - 在设计电路时,确保电路布局合理以降低寄生电感和电容的影响。
    - 根据负载电流选择合适的封装尺寸,以保证良好的散热效果。
    - 配合PWM控制器使用时,建议增加滤波电容以平滑输出电压。

    兼容性和支持


    兼容性
    该MOSFET支持标准的表面贴装技术(SMT),兼容多种电路板设计。它可与主流的电源管理芯片配合使用,广泛应用于消费电子、工业控制等领域。
    厂商支持
    制造商提供详尽的技术文档和专业支持,包括设计指导、样品申请和技术咨询。用户可通过服务热线400-655-8788联系技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开机瞬间发热严重 | 增加外部散热片或优化PCB布局。 |
    | 导通电阻过高 | 确保VGS电压达到阈值以上。 |
    | ESD损坏 | 在电路中添加ESD防护器件。 |

    总结和推荐


    综合评估
    该N-Channel 20 V (D-S) MOSFET凭借其高性能、低成本以及广泛的适用性,在便携式设备和工业控制领域表现出色。其低导通电阻、高可靠性以及良好的温度适应性使其成为同类产品的佼佼者。
    推荐结论
    强烈推荐此产品用于需要高效能、低功耗和良好热管理的应用场景。无论是开发新型消费电子产品还是优化现有工业控制系统,这款MOSFET都将是理想的选择。

K2037-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Id-连续漏极电流 4A
Vgs-栅源极电压 12V
栅极电荷 -
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SC-70-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2037-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2037-VB数据手册

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K2037-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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