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K3022-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252\n用于设计LED照明驱动器模块,用于室内和室外照明系统,提供稳定的电流输出和高效的能量转换,满足建筑照明、道路照明和景观照明等领域的需求。
供应商型号: K3022-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3022-VB

K3022-VB概述

    N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本手册介绍了VBsemi公司的N-Channel 60V(D-S)功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款产品采用TrenchFET®技术制造,属于一种场效应晶体管,具有优异的导电性能和稳定性。它适用于直流/直流转换器、直流/交流逆变器以及电机驱动等多种应用领域。N-Channel 60V MOSFET以其高效能和高可靠性在电源管理和控制领域表现出色。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 60 | - | - | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | 1.0 | 3.0 | - | V |
    | 持续漏极电流(Tc=25°C) | ID | 18 | - | - | A |
    | 脉冲漏极电流(t=300μs) | IDM | 25 | - | - | A |
    | 零门限电压漏极电流 | IDSS | 1 | 50 | 250 | μA |
    | 导通状态漏极电流 | ID(on) | 20 | - | - | A |
    | 导通状态电阻 | RDS(on) | 0.073(VGS=10V, ID=6.6A) | 0.085(VGS=4.5V, ID=6A) | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 660 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 85 | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | 40 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 19.8 | 30 | nC |
    | 栅极电阻 | Rg | - | 2 | 4 | Ω |
    | 最大功率耗散(Tc=25°C) | PD | 41.7 | - | - | W |

    产品特点和优势


    1. 高效的电流处理能力:最高持续漏极电流为18A,脉冲漏极电流可达25A。
    2. 低导通电阻:典型值为0.073Ω(VGS=10V),保证了低功耗操作。
    3. 卓越的开关性能:快速的开关速度和较小的栅极电荷使得能耗降低。
    4. 坚固的设计:经过100% Rg和UIS测试,确保长期稳定运行。
    5. 宽泛的工作温度范围:可在-55到150°C之间正常工作,适合各种恶劣环境条件。

    应用案例和使用建议


    1. 直流/直流转换器:适用于多种类型的电源管理系统,如电池充电器和电源适配器。
    2. 直流/交流逆变器:可作为电机驱动和驱动控制系统的理想选择。
    3. 电机驱动:适用于电动工具和工业自动化系统中的电机控制。
    使用建议:
    - 在设计电路时,注意确保散热片设计合理,以防止过热。
    - 使用时尽量减少栅极电阻值,以提高开关效率。
    - 在高温环境下使用时,应注意散热措施,确保器件稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品采用TO-252封装,可直接替换市场上同类产品,适用于大多数电子设备。
    - 支持:VBsemi提供全面的技术支持,包括详细的安装指南、故障排除手册以及售后服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高频率工作时,发热严重。
    解决办法:优化散热设计,如增加散热片或风扇。
    2. 问题:切换时出现不稳定现象。
    解决办法:检查电路连接,确认没有接触不良或线路短路情况。
    3. 问题:在高负载下无法正常工作。
    解决办法:检查输入电压是否在额定范围内,确认无误后再重新测试。

    总结和推荐


    VBsemi的N-Channel 60V MOSFET凭借其优秀的性能指标和广泛的应用场景,在电源管理及控制领域表现出色。其低导通电阻、快速开关性能和稳定的工作特性使其成为众多应用场合的理想选择。强烈推荐在相关项目中使用此款产品。如有任何疑问或需要技术支持,请联系我们的客户服务热线:400-655-8788。

K3022-VB参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 73mΩ@10V,85mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
配置 -
Id-连续漏极电流 18A
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3022-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3022-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3022-VB K3022-VB数据手册

K3022-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.36
100+ ¥ 1.2593
500+ ¥ 1.2089
2500+ ¥ 1.1586
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