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IRF830I-HF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: IRF830I-HF-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF830I-HF-VB

IRF830I-HF-VB概述


    产品简介


    IRF830I-HF-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,具有 650V 的击穿电压。这款 MOSFET 主要用于高电压转换和电源管理领域,例如逆变器、电机驱动器、开关电源等。它的低门极电荷和出色的开关性能使其成为许多高可靠性应用的理想选择。

    技术参数


    - 击穿电压(VDS): 650V
    - 导通电阻(RDS(on)): 在 VGS = 10V 时为 2.5Ω
    - 总栅极电荷(Qg(Max)): 48nC
    - 栅源电荷(Qgs): 12nC
    - 栅漏电荷(Qgd): 19nC
    - 持续漏电流(ID): 3.8A @ TC = 100°C
    - 脉冲漏电流(IDM): 18A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 325mJ
    - 最大功耗(PD): 30W @ TC = 25°C
    - 工作温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 结到环境热阻(RthJA): 最大值为 65°C/W
    - 结到外壳热阻(RthJC): 最大值为 2.1°C/W

    产品特点和优势


    IRF830I-HF-VB 具有多个独特功能和优势,包括:
    - 低门极电荷(Qg): 简化驱动需求,降低功耗。
    - 增强型栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐久性: 提高整体耐用性和可靠性。
    - 完全特性化的电容和雪崩电压电流: 保证高可靠性和一致性。
    - 符合 RoHS 指令 2002/95/EC: 环保要求得到满足。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRF830I-HF-VB 常见的应用场景包括:
    - 逆变器系统
    - 高压直流电源
    - 电机驱动系统
    使用建议
    1. 驱动电路设计: 为了充分发挥 IRF830I-HF-VB 的性能,建议使用合适的驱动电路,确保低门极电荷和快速开关。
    2. 散热设计: 由于其高功耗,需要良好的散热设计以避免过热。可以考虑使用散热片或风扇进行散热。
    3. 布局优化: 减少引线长度,保持低杂散电感,提高电路的稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性: IRF830I-HF-VB 与常见的高压驱动电路和控制系统兼容。
    - 支持: 厂商提供详尽的技术支持和售后服务,包括文档、样片申请和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 电路启动后发热严重。
    - 解决方案: 检查散热设计,确保使用足够大的散热片或风扇。
    2. 问题: 开关频率不稳定。
    - 解决方案: 检查驱动电路的设计,确保门极驱动信号稳定。
    3. 问题: 漏电流过大。
    - 解决方案: 重新检查电路接线和组件选型,确保门极电荷和驱动电路的正确性。

    总结和推荐


    IRF830I-HF-VB 是一款在高电压和高功率应用中表现出色的 N-Channel MOSFET。其优异的耐久性、快速开关特性和低功耗使其在市场上具有较强的竞争力。无论是对于逆变器还是电源管理系统,它都是一个值得信赖的选择。
    综上所述,我们强烈推荐 IRF830I-HF-VB 作为高可靠性的电子元器件产品。

IRF830I-HF-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
配置 -
Id-连续漏极电流 4A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRF830I-HF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF830I-HF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF830I-HF-VB IRF830I-HF-VB数据手册

IRF830I-HF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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