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NP40N055KHE-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
供应商型号: NP40N055KHE-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP40N055KHE-VB

NP40N055KHE-VB概述


    产品简介


    本产品是一款N沟道60V(D-S)MOSFET,型号为NP40N055KHE。它采用表面贴装技术,适用于各类电子产品。MOSFET的主要功能是作为开关和放大电路中的控制元件。其应用领域广泛,包括电源管理、电机驱动、通信设备以及各种需要高速开关性能的电子系统。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): 60V
    - 栅源电压 (VGS): ± 10V
    - 持续漏电流 (ID): 25°C时为50A,100°C时为36A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 400mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 150W(25°C时)
    - 峰值二极管恢复dv/dt: 4.5V/ns
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55至+175°C
    - 典型规格:
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 60V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 1.0至3.0V
    - 栅源漏电流 (IGSS): ±100nA
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 23mΩ (VGS=10V),27mΩ (VGS=4.5V)
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss): 3000pF
    - 输出电容 (Coss): 200pF
    - 转移电容 (Crss): 不适用
    - 总栅极电荷 (Qg): 66nC
    - 开启延时时间 (td(on)): 17ns
    - 上升时间 (tr): 230ns
    - 关闭延时时间 (td(off)): 42ns
    - 下降时间 (tf): 110ns
    - 内部漏电感 (LD): 4.5nH
    - 内部源电感 (LS): 7.5nH

    产品特点和优势


    - 环保无卤素: 符合IEC 61249-2-21标准,适合在医疗和其他对环境保护要求高的领域使用。
    - 快速开关: 具备逻辑级门驱动能力,能够在高速条件下工作,有效降低能耗。
    - 兼容性强: 可通过表面贴装技术安装,且可卷带供应,便于大规模生产和集成。
    - 符合RoHS标准: 符合欧盟RoHS指令,安全可靠。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于电源转换器、电机控制器和逆变器等设备。对于使用建议,建议遵循制造商提供的电路布局指南,确保低杂散电感、良好的接地平面设计和低漏感特性,从而提高设备的整体性能和可靠性。

    兼容性和支持


    NP40N055KHE可以与其他支持表面贴装技术的设备兼容,且厂商提供了详细的技术支持和维护文档,确保客户能够顺利进行设备集成和故障排除。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备在高温环境下运行时性能下降。
    - 解决方案: 确保良好的散热措施,避免长期高温运行。检查电路布局,保证低杂散电感和接地良好。
    2. 问题: 开关速度不够快。
    - 解决方案: 检查驱动电路和信号线布局,确保信号完整性。适当增加驱动电压,优化栅极电容匹配。

    总结和推荐


    总体而言,NP40N055KHE N沟道60V MOSFET凭借其出色的性能、快速开关能力和高可靠性,在众多应用场景中表现卓越。我们强烈推荐此产品用于需要高速开关和高性能控制的应用场合。如果您在实际应用中遇到任何问题,可以随时联系我们的技术支持团队寻求帮助。

NP40N055KHE-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,27mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 40A
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NP40N055KHE-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP40N055KHE-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP40N055KHE-VB NP40N055KHE-VB数据手册

NP40N055KHE-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.7215
100+ ¥ 2.5199
500+ ¥ 2.419
800+ ¥ 2.3183
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