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NTB90N02T4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,170A,RDS(ON),3mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO263 可用作电机驱动器的功率开关管,用于控制工业机器人、输送带等设备的启停和转速,提高生产线的自动化程度和生产效率。
供应商型号: NTB90N02T4G-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTB90N02T4G-VB

NTB90N02T4G-VB概述


    产品简介


    NTB90N02T4G 是一款N沟道30V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这种晶体管采用先进的TrenchFET®工艺制造,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力。主要应用于电源管理领域,如OR-ing(逻辑或)、服务器和直流/直流转换器等。这款MOSFET符合RoHS环保标准,是电力电子设备的理想选择。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 漏极连续电流 (TJ = 175 °C):
    - TC = 25 °C 时: 98A
    - TC = 70 °C 时: 98A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 300A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 64.8V
    - 最大功率耗散:
    - TC = 25 °C 时: 250W
    - TC = 70 °C 时: 175W
    - 工作结温和存储温度范围: -55 至 175 °C
    - 典型参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 30V
    - 零栅压漏极电流 (IDSS): 1µA
    - 导通状态漏极电流 (ID(on)): 90A
    - 导通状态电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10V 时: 0.0024-0.0038Ω
    - VGS = 4.5V 时: 0.0027-0.0044Ω
    - 输入电容 (Ciss): 12065pF
    - 输出电容 (Coss): 1725pF
    - 反向传输电容 (Crss): 970pF
    - 总栅电荷 (Qg):
    - VGS = 10V 时: 171-257nC
    - VGS = 4.5V 时: 81.5-123nC
    - 栅极电阻 (Rg): 1.4-2.1Ω
    - 开启延迟时间 (td(on)): 18-27ns
    - 上升时间 (tr): 11-17ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 70-105ns
    - 下降时间 (tf): 10-15ns
    - 体二极管反向恢复时间 (trr): 52-78ns
    - 体二极管反向恢复电荷 (Qrr): 70.2-105nC

    产品特点和优势


    NTB90N02T4G 具有以下显著特点和优势:
    - TrenchFET®技术:确保更低的导通电阻和更高的开关效率。
    - 100% Rg和UIS测试:确保产品可靠性和一致性。
    - 符合RoHS标准:适用于环保要求严格的电子设备。
    - 宽工作温度范围:适应各种恶劣的工作环境。
    - 高可靠性:经过严格测试和验证,保证长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    NTB90N02T4G 广泛应用于服务器电源系统、OR-ing电路以及直流/直流转换器中。例如,在服务器电源系统中,它可以高效地进行电流分配和管理,减少功耗并提高系统稳定性。
    使用建议:
    - 在应用过程中应注意避免超过绝对最大额定值,以确保长期可靠运行。
    - 确保散热措施得当,避免过热损坏。
    - 在高频开关应用中,注意选择合适的栅极电阻,以优化开关速度和减少损耗。

    兼容性和支持


    NTB90N02T4G 支持常见的表面贴装技术(SMT),适用于大多数现代PCB设计。VBsemi公司提供详尽的技术支持和售后服务,包括产品手册、应用指南和技术咨询服务。如有任何技术问题,可联系服务热线 400-655-8788 获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:导通状态电阻RDS(on)随温度变化而变化。
    - 解决方案:查阅具体数据表中的RDS(on) vs. 温度曲线,根据实际应用中的温度进行调整。

    - 问题:栅极电荷Qg较大,导致开关速度慢。
    - 解决方案:优化栅极电阻Rg值,选择合适尺寸的驱动器以加快开关速度。

    - 问题:长时间运行后出现性能下降。
    - 解决方案:确保良好的散热设计,定期检查设备以保持最佳性能。

    总结和推荐


    总体而言,NTB90N02T4G 是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,适用于多种电力电子应用。其卓越的性能、广泛的应用范围及详细的文档支持使其成为电力电子工程师的理想选择。强烈推荐在需要高效能和高可靠性的应用中使用此产品。

NTB90N02T4G-VB参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 170A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTB90N02T4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTB90N02T4G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTB90N02T4G-VB NTB90N02T4G-VB数据手册

NTB90N02T4G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.5919
800+ ¥ 2.4839
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