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HFS2N65-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: HFS2N65-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HFS2N65-VB

HFS2N65-VB概述

    HFS2N65-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HFS2N65-VB 是一款 N-沟道 650V 功率 MOSFET,设计用于高效开关电源转换、电机驱动和其他高电压应用。该器件具有低门极电荷(Qg)和卓越的抗门极、雪崩和动态 dV/dt 高度耐受性,完全额定的电容和雪崩电压及电流。

    2. 技术参数


    - 漏源电压(VDS): 650V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)): 4.0Ω @ 10V VGS
    - 总门极电荷(Qg): 11nC
    - 门极到源极电荷(Qgs): 2.3nC
    - 门极到漏极电荷(Qgd): 5.2nC
    - 最大工作温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 165mJ
    - 最大热阻(RthJA): 65°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷(Qg): 降低驱动要求,简化电路设计。
    - 增强型门极、雪崩和动态 dV/dt 高度耐受性: 提高可靠性。
    - 完全额定的电容和雪崩电压及电流: 确保稳定的性能表现。
    - 符合 RoHS 指令: 环保合规。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: 适用于工业控制、电源转换、电机驱动等场合。
    - 使用建议:
    - 在高频开关应用中,应确保合适的散热措施以避免热失控。
    - 在设计电路时,考虑使用门极电阻(RG)来优化开关速度和损耗。


    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 适用于广泛的应用场合,如工业控制和电源转换。
    - 支持: 制造商提供全面的技术支持,包括详细的资料和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 温度过高导致性能下降。
    - 解决办法: 增加散热措施,如使用散热片或风扇。
    - 问题2: 开关频率过高引起电磁干扰。
    - 解决办法: 使用合适的滤波器和屏蔽措施。

    7. 总结和推荐


    HFS2N65-VB N-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的功率器件,适用于各种高压应用场合。其低门极电荷和高耐受性使其成为理想的开关电源解决方案。推荐在需要高效率和高可靠性的应用中使用。
    如需更多详细信息和技术支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

HFS2N65-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7Ω@ 10V
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 2A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

HFS2N65-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HFS2N65-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HFS2N65-VB HFS2N65-VB数据手册

HFS2N65-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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