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UDN302L-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: UDN302L-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UDN302L-AE3-R-VB

UDN302L-AE3-R-VB概述

    # UDN302L-AE3-R P-Channel 30V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    UDN302L-AE3-R 是一款高性能的P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应管),采用TrenchFET®技术制造。其主要特征包括低导通电阻(RDS(on))、快速开关速度及高可靠性。该产品广泛应用于移动计算领域,如负载开关、笔记本适配器开关和DC/DC转换器中。通过提供高效的电能管理和转换,UDN302L-AE3-R 在紧凑设计和节能方面表现出色。

    2. 技术参数


    以下是UDN302L-AE3-R的主要技术规格和性能参数:
    | 参数 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 漏源电压(VDS) | -30 V | -30 V |
    | 栅源电压(VGS) | ±20 V | ±20 V |
    | 连续漏极电流(ID) | -5.6 A | -4.3 A |
    | 脉冲漏极电流(IDM) | -18 A | -18 A |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 0.046 Ω | 0.054 Ω |
    | 零栅电压漏极电流(IDSS)| -1 μA | -5 μA |
    | 栅极总电荷(Qg) | 11.4 nC | 24 nC |
    该器件的工作温度范围为-55°C至150°C,具有优异的热稳定性。其封装形式为TO-236(SOT-23),具有良好的散热性能。

    3. 产品特点和优势


    - 高效率:超低导通电阻RDS(on),确保了在高电流下的低损耗。
    - 高速开关:快速的开关速度和较小的开关损耗,适合高频电路应用。
    - 耐用性强:百分之百Rg测试,确保产品质量。
    - 紧凑设计:小尺寸封装(SOT-23),适用于空间受限的设计。

    4. 应用案例和使用建议


    UDN302L-AE3-R 可用于多种应用场景,例如:
    - 笔记本电脑充电器中的负载开关。
    - 移动设备电源管理系统的DC/DC转换器。
    建议在设计时注意以下几点:
    - 确保栅极驱动信号的幅度足够以实现最佳性能。
    - 使用适当的散热措施以保持长期稳定性。

    5. 兼容性和支持


    UDN302L-AE3-R 可与大多数标准PCB设计兼容,并且VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决使用过程中可能遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率不稳定 | 检查并调整栅极电阻值 |
    | 工作温度超出规定范围 | 添加外部冷却装置或调整电路设计 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,UDN302L-AE3-R是一款性能卓越、性价比高的P沟道MOSFET,特别适合需要高效能和紧凑布局的应用场景。推荐给那些希望提升系统效率并降低功耗的工程师们。如果您正在寻找可靠的P沟道MOSFET解决方案,UDN302L-AE3-R绝对是一个值得考虑的选择。联系我们的服务热线400-655-8788获取更多信息和支持!

UDN302L-AE3-R-VB参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
Id-连续漏极电流 5.6A
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UDN302L-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UDN302L-AE3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UDN302L-AE3-R-VB UDN302L-AE3-R-VB数据手册

UDN302L-AE3-R-VB封装设计

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300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
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