处理中...

首页  >  产品百科  >  NTD40N03RT4G-VB

NTD40N03RT4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: NTD40N03RT4G-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD40N03RT4G-VB

NTD40N03RT4G-VB概述

    NTD40N03RT4G N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTD40N03RT4G 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道增强型MOSFET。它采用了先进的TrenchFET®技术,具有高电流处理能力和低导通电阻(RDS(on))。此款MOSFET主要适用于OR-ing、服务器及DC/DC转换器等领域。其典型应用场景包括电源管理、电机控制以及其它需要高效能转换的应用场合。

    技术参数


    以下是根据技术手册提取的关键技术规格:
    - 电气特性
    - 最大漏源电压 (VDS): 30 V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 漏极连续电流 (ID):
    - TC = 25 °C: 8 A
    - TC = 70 °C: 3.25 A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 200 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 94.8 mJ
    - 热特性
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 32 °C/W (最大)
    - 最大结到壳热阻 (RthJC): 0.5 °C/W (最大)
    - 其他参数
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V: 0.007 Ω
    - VGS = 4.5 V: 0.009 Ω
    - 零栅压漏电流 (IDSS): 1 μA (VDS = 30 V, VGS = 0 V)
    - 前向转移电容 (Ciss): 2201 pF
    - 总栅电荷 (Qg):
    - VGS = 10 V: 35 nC
    - VGS = 4.5 V: 25 nC

    产品特点和优势


    NTD40N03RT4G 具备以下独特功能和优势:
    - 采用TrenchFET®技术,提供极低的导通电阻,从而降低功耗。
    - 经过100% Rg和UIS测试,保证可靠性。
    - 符合RoHS Directive 2011/65/EU标准,环保安全。
    这些特点使其在高性能电源管理和电机控制等应用中表现出色,显著提升了系统的整体效率和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 电源系统中的OR-ing电路
    - 服务器电源模块
    - DC/DC转换器
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热,确保温度不超过70 °C,以维持最佳性能。
    - 使用时需考虑封装的额定电流限制,避免过载导致损坏。
    - 可通过适当添加散热片来改善热管理,从而提高长期稳定性。

    兼容性和支持


    NTD40N03RT4G 与大多数标准电路设计兼容,可以直接替换市场上常见的同类型产品。台湾VBsemi公司提供了详尽的技术支持文档,并设有服务热线(400-655-8788),随时为客户提供技术咨询和售后服务。

    常见问题与解决方案


    问题1: 如何避免高温损坏?
    - 解决方案: 使用适当的散热措施,如安装散热片,并确保设备工作环境温度不超过70 °C。
    问题2: 高频开关时,如何减小EMI?
    - 解决方案: 使用旁路电容并选择适当的栅极电阻值,以减少寄生效应和电磁干扰。
    问题3: 如何确定最大负载电流?
    - 解决方案: 依据实际应用条件计算负载电流,确保不超过器件的额定值,并留有一定的安全余量。

    总结和推荐


    NTD40N03RT4G 是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,非常适合于高效率电源管理系统、服务器以及DC/DC转换器的应用。其独特的TrenchFET®技术、出色的导通电阻和坚固的可靠性使其成为众多电子应用的理想选择。总体来说,强烈推荐使用这款产品,特别是在追求高效率和稳定性的场景中。
    如有任何疑问或技术支持需求,请联系台湾VBsemi的服务热线:400-655-8788。

NTD40N03RT4G-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 70A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTD40N03RT4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD40N03RT4G-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTD40N03RT4G-VB NTD40N03RT4G-VB数据手册

NTD40N03RT4G-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
库存: 400000
起订量: 20 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 27.22
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504