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FCP600N60Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: FCP600N60Z-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FCP600N60Z-VB

FCP600N60Z-VB概述

    FCP600N60Z-VB Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FCP600N60Z-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。该器件具有低导通电阻(Ron)和低栅极电荷(Qg),是服务器和电信电源供应、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)、照明系统及工业应用的理想选择。典型应用包括高强光灯(HID)和荧光灯照明系统的控制。

    技术参数


    以下是FCP600N60Z-VB的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 650 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | - | 1.5 | Ω (在VGS = 10 V下) |
    | 栅极总电荷 | Qg | - | 123 | nC |
    | 栅极-源极电荷 | Qgs | - | 1.1 | nC |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd | - | 1.8 | nC |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1470 | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | - | pF |
    其他关键参数包括最大脉冲漏电流(IDM)、单次脉冲雪崩能量(EAS)、最高工作温度(TJ, Tstg)等。

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷(Qg):有助于减少开关损耗。
    - 低输入电容(Ciss):减小开关损耗,提高效率。
    - 低导通电阻(RDS(on)):改善系统整体效率,减少发热。
    - 优异的热阻特性:最大结壳热阻(RthJC)为0.6°C/W,有助于更好地散热。
    - 宽工作温度范围:可承受从-55°C到+150°C的温度范围。

    应用案例和使用建议


    FCP600N60Z-VB广泛应用于服务器和电信电源供应、开关电源模块、荧光灯控制器等。在具体应用时,建议关注以下几个方面:
    - 散热设计:确保良好的散热管理,以保持器件在正常工作温度范围内。
    - 驱动电路设计:使用低阻抗驱动器,以降低驱动损耗。
    - 布局设计:减少引线电感,优化接地平面设计,确保良好的信号完整性。

    兼容性和支持


    FCP600N60Z-VB与多种开关电源设计高度兼容。制造商提供详尽的技术支持和维护文档,帮助用户快速解决问题并进行调试。

    常见问题与解决方案


    1. 如何处理高温引起的稳定性问题?
    - 确保良好的散热措施,如安装散热片或散热器。
    2. 如何优化电路的开关性能?
    - 使用低阻抗驱动器和合适的栅极电阻,确保快速稳定的开关过程。
    3. 器件出现过载现象怎么办?
    - 检查电源负载和电路设计,确保负载在安全范围内运行。

    总结和推荐


    综上所述,FCP600N60Z-VB是一款高性能、高效能的功率MOSFET,具备出色的导通特性和较低的开关损耗。适用于各种高要求的应用场景,尤其适合需要高效率和稳定性的应用。因此,强烈推荐此款产品用于各类电力电子系统的设计与开发。有关更多详细信息和技术支持,请联系VBsemi官方客服热线:400-655-8788。

FCP600N60Z-VB参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 9A
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FCP600N60Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FCP600N60Z-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FCP600N60Z-VB FCP600N60Z-VB数据手册

FCP600N60Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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型号 价格(含增值税)
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