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FMP05N50E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220\n适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: FMP05N50E-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FMP05N50E-VB

FMP05N50E-VB概述

    FMP05N50E-VB 电子元器件技术手册

    产品简介


    FMP05N50E-VB 是一款高性能的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET),适用于开关电源(SMPS)、不间断电源系统和其他高功率转换应用。该产品以其低门电荷和高可靠性的特点而备受推崇,广泛应用于电力电子领域的各种高能效设备中。

    技术参数


    - 基本参数:
    - VDS(漏源电压): 600V
    - RDS(on)(导通电阻): 在VGS = 10V时为0.780Ω
    - 最大总栅极电荷(Qg): 49nC
    - 栅源电荷(Qgs): 13nC
    - 栅漏电荷(Qgd): 20nC
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS): 600V
    - 栅源电压(VGS): ±30V
    - 连续漏极电流(ID): 在25°C时为8.0A,在100°C时为5.8A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 290mJ
    - 最大功率耗散(PD): 170W
    - 峰值二极管恢复(dV/dt): 5.0V/ns
    - 热阻率:
    - 结至环境的最大热阻(RthJA): 62°C/W
    - 结至散热器的最大热阻(RthJC): 0.75°C/W

    产品特点和优势


    - 低门电荷:简化驱动要求,减少驱动电路的设计复杂度和成本。
    - 增强的可靠性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性,提高了整体耐用性和使用寿命。
    - 全面的电容和雪崩参数:提供完全标定的电容和雪崩电压、电流参数,确保产品在不同工作条件下的稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    FMP05N50E-VB 主要应用于开关电源和不间断电源系统中。以下是一些使用建议:
    - 在开关电源中:由于其低栅极电荷特性,可以减少开关损耗,提高系统的效率。建议根据具体需求选择合适的驱动电路,以实现最佳性能。
    - 在不间断电源系统中:FMP05N50E-VB 可有效管理高功率切换过程,确保系统在各种负载条件下稳定运行。应注意优化散热设计,避免因过热导致的性能下降。

    兼容性和支持


    FMP05N50E-VB 与常见的电源转换设备兼容,可以方便地集成到现有的系统中。制造商提供了详尽的技术支持和维护文档,包括焊接推荐温度、安装扭矩等详细信息,以确保产品能够顺利应用并发挥最佳性能。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 设备运行时过热如何解决?
    - A: 检查散热系统的设计,确保良好的散热效果。若需要,可增加散热片或采用主动冷却措施。

    2. Q: 开关速度慢怎么办?
    - A: 确保驱动电路设计合理,降低驱动电阻,以提高开关速度。此外,优化PCB布局,减少寄生电感,也能提升性能。

    3. Q: 电压不稳定怎么办?
    - A: 检查输入电源的稳定性,并确认是否存在外部干扰。必要时,添加滤波电容以提高电压稳定性。

    总结和推荐


    FMP05N50E-VB 功率MOSFET凭借其出色的性能、高可靠性和广泛应用,成为电力电子行业中的佼佼者。其低门电荷和增强的可靠性使其特别适合高能效和高可靠性要求的应用场合。综上所述,强烈推荐FMP05N50E-VB作为高性能电源转换设备的理想选择。

FMP05N50E-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 8A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 600V
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FMP05N50E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FMP05N50E-VB数据手册

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FMP05N50E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1091
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500+ ¥ 2.7636
1000+ ¥ 2.6485
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