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FSP12N60A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: FSP12N60A-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FSP12N60A-VB

FSP12N60A-VB概述

    # FSP12N60A-VB Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    FSP12N60A-VB 是由 VBsemi 公司生产的一款高性能 N 沟道 MOSFET 功率晶体管。它采用 TO-220AB 封装,适用于多种工业应用。FSP12N60A-VB 主要用于服务器和电信电源、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)及照明系统(如高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器)。其低导通电阻和高速切换能力使其在各种高效率电力转换应用中表现出色。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 最大栅源电压 \( \pm30 \text{V} \)
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} = 650 \text{V} \)
    - 连续漏极电流 (TJ = 150 °C) \( ID = 70 \text{A} \)
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \)
    - 单次脉冲雪崩能量 \( E{AS} = 5 \text{mJ} \)
    - 最大功耗 \( PD = 186 \text{W} \)
    - 工作结温和存储温度范围 \( T{J}, T{STG} = -55 \text{to} +150 °C \)
    静态规格
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \) (VGS = 10 V, ID = 4 A): 最大 1.5 Ω
    - 输入电容 \( C{iss} \) (VGS = 0 V, VDS = 100 V, f = 1 MHz): 最大 1470 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \) 和反向传输电容 \( C{rss} \)
    - 有效输出电容 \( Co(er) \) (VDS = 0 V 到 520 V, VGS = 0 V)
    - 总栅极电荷 \( Qg \) (VGS = 10 V, ID = 4 A, VDS = 520 V): 最大 21 nC
    - 栅极-源极电荷 \( Q{gs} \): 最大 9 nC
    - 栅极-漏极电荷 \( Q{gd} \): 最大 12 nC
    动态规格
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \)
    - 上升时间 \( tr \)
    - 关断延迟时间 \( t{d(off)} \)
    - 跌落时间 \( tf \)
    - 栅极输入电阻 \( Rg \): 最大 3.5 Ω

    产品特点和优势


    - 低阻抗特性: FSP12N60A-VB 具有非常低的导通电阻 \( R{DS(on)} \),使其在高电流应用中具有出色的能效。
    - 快速开关: 该器件的总栅极电荷 \( Qg \) 低,从而实现了快速的开关速度,减少了开关损耗。
    - 高可靠性: 通过严格的测试,保证了器件在极端条件下的稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源: 由于其高可靠性,FSP12N60A-VB 在数据中心的服务器电源中表现卓越。
    - 照明系统: 在 HID 灯具和荧光灯照明系统中,其高效的转换特性有助于实现更好的能效。

    使用建议
    - 散热管理: 由于该器件的功耗较高,在应用时需特别注意散热设计,确保良好的热传导。
    - 驱动电路: 推荐使用匹配的驱动器以减少栅极充电时间,提高系统整体效率。

    兼容性和支持


    - FSP12N60A-VB 采用标准 TO-220AB 封装,易于与各种电路板进行焊接连接。
    - VBsemi 提供详尽的技术支持和售后保障,客户可以通过服务热线 400-655-8788 获取技术支持。

    常见问题与解决方案


    - Q: 设备启动困难
    - A: 检查栅极驱动电路是否正常,确保驱动信号满足器件的要求。
    - Q: 设备过热
    - A: 改善散热设计,例如增加散热片或使用更好的热界面材料。
    - Q: 无法正常关断
    - A: 检查负载是否过大,确保负载电流在器件的承受范围内。

    总结和推荐


    综上所述,FSP12N60A-VB 功率 MOSFET 是一款非常优秀的高效率电子元器件,具备出色的导通特性和快速的开关速度,适用于多种高要求的应用场合。它的高性能和广泛的适用范围使其在市场上具备很强的竞争力。强烈推荐使用此款产品,尤其是在高效率电力转换领域。

FSP12N60A-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 9A
栅极电荷 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FSP12N60A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FSP12N60A-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FSP12N60A-VB FSP12N60A-VB数据手册

FSP12N60A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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型号 价格(含增值税)
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