处理中...

首页  >  产品百科  >  19N06L-VB

19N06L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,25A,RDS(ON),80mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V) 封装:TO220在工业自动化领域,该产品可用于工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块,提高系统的运行效率和稳定性。
供应商型号: 19N06L-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 19N06L-VB

19N06L-VB概述


    产品简介


    19N06L-VB 是一款 N 沟道 MOSFET,适用于电压高达 60V 的各种电源转换应用。该器件具有快速开关、易于并联的特点,并且拥有简单的驱动要求。它主要用于工业控制、电机驱动系统和通信设备等领域。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):60V
    - 导通电阻 (RDS(on))(VGS = 10V):0.072Ω
    - 最大漏源电容 (Coss):360pF
    - 总栅极电荷 (Qg):25nC
    - 栅源电荷 (Qgs):5.8nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):11nC
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):68A
    - 最大单次脉冲雪崩能量 (EAS):100mJ
    - 最大功率耗散 (PD):60W
    - 热阻 (RthJA):62°C/W
    - 封装形式:TO-220AB
    - 驱动要求:简易

    产品特点和优势


    19N06L-VB 具有动态 dV/dt 额定值和快速开关特性,可以轻松并联使用。这些特点使其在高频开关应用中表现优异,尤其适合于需要高效率和低功耗的应用场景。此外,它的简单驱动要求简化了设计过程,使得用户可以更加专注于系统集成。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电机驱动:由于其低导通电阻和高开关速度,19N06L-VB 可以用于驱动电动机,特别是在需要高效能输出的场合。
    - 工业控制:这款 MOSFET 可以用于控制各种工业设备,如 PLC 和伺服系统。
    - 通信设备:由于其高可靠性,19N06L-VB 也常用于电信基础设施中的电源管理。
    使用建议
    - 在选择合适的外部电路时,应确保驱动电压和电流符合器件的要求。
    - 为了防止热失控,建议在实际应用中根据环境温度调整散热措施。
    - 使用带有良好接地平面的 PCB 布局来降低寄生电感,从而提高开关性能。

    兼容性和支持


    19N06L-VB 可以与其他标准 TO-220 封装的 N 沟道 MOSFET 互换使用。VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,包括产品认证(RoHS 和无卤素),确保产品的环保合规性。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境下,MOSFET 的性能下降。
    - 解决方案:适当增加散热措施,确保良好的热传导。
    - 问题:驱动电流不足导致器件过热。
    - 解决方案:检查驱动电路,确保提供足够的驱动电流。
    - 问题:栅极噪声干扰影响器件正常工作。
    - 解决方案:使用适当的滤波措施,减少噪声干扰。

    总结和推荐


    19N06L-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,适用于多种工业应用。其独特的动态 dV/dt 额定值和快速开关特性使其在市场上具有较强的竞争力。对于需要高效率和可靠性的应用,我们强烈推荐使用这款器件。VBsemi 提供全面的支持和服务,使得用户可以更加放心地采用这款产品。

19N06L-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~4V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 25A
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

19N06L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

19N06L-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 19N06L-VB 19N06L-VB数据手册

19N06L-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.6525
100+ ¥ 1.5301
500+ ¥ 1.4688
1000+ ¥ 1.4077
库存: 400000
起订量: 20 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 33.05
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336