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KF7N50P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: KF7N50P-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KF7N50P-VB

KF7N50P-VB概述

    KF7N50P 电子元器件技术手册

    产品简介


    KF7N50P 是一款 N-Channel MOSFET(N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电力电子应用。它具备较低的门极电荷 (Qg),简化了驱动要求,增强了栅极、雪崩和动态 dv/dt 的坚固性。这款MOSFET 符合 RoHS 指令2002/95/EC,确保了环保和安全标准。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 最大漏源电压 (VDS):500V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):0.660Ω(在 VGS=10V 时)
    - 总栅极电荷 (Qg):81nC
    - 栅极源极电荷 (Qgs):20nC
    - 栅极漏极电荷 (Qgd):36nC
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS):500V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏电流 (ID):13A(在 TC=25°C)至 8.1A(在 TC=100°C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):560mJ
    - 最大功率耗散 (PD):250W
    - 峰值二极管恢复电压 (dV/dt):9.2V/ns
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 其他参数:
    - 最大接面到散热器热阻 (RthJA):62°C/W
    - 接面到外壳的最大热阻 (RthJC):0.50°C/W
    - 典型栅极电荷 (Qg):81nC
    - 转换特性中的栅极漏极电荷 (Qgd):36nC

    产品特点和优势


    1. 降低的门极电荷 (Qg):简化了驱动要求,减少了对驱动电路的需求,从而提高了系统的可靠性和效率。
    2. 增强的坚固性:改进了栅极、雪崩和动态 dv/dt 的坚固性,使得器件能够在严苛的应用环境中长期稳定运行。
    3. 全面表征的电容和雪崩电压:通过全面测试,确保了器件在不同条件下的可靠性和稳定性。
    4. 符合RoHS标准:符合RoHS指令,环保且安全。

    应用案例和使用建议


    KF7N50P MOSFET 在各种应用中表现出色,如电机控制、电源转换器、电动汽车充电系统等。根据技术手册中的典型特性图(例如图 1 和图 2),可以看出该器件在不同电压和电流条件下的表现。
    - 使用建议:
    - 确保电路设计中包含适当的散热措施,以避免过热问题。
    - 在设计驱动电路时,考虑到 Qg 的低值,减少外部电路的复杂度。
    - 在选择应用场合时,考虑其耐压能力和功率耗散能力,确保在合适的工作条件下使用。

    兼容性和支持


    KF7N50P MOSFET 与其他电子元器件具有良好的兼容性,可以在多种电路板设计中直接替换同类产品。制造商提供了详尽的技术支持和维护信息,确保用户能够顺利集成和调试。

    常见问题与解决方案


    - 问题:过高的工作温度导致器件失效。
    - 解决方案:增加散热措施,例如使用散热片或风扇,确保器件工作在推荐的温度范围内。
    - 问题:驱动电路设计不当导致器件损坏。
    - 解决方案:参考制造商提供的应用指南,合理设计驱动电路,确保栅极电荷和电流参数匹配。

    总结和推荐


    KF7N50P 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel MOSFET,适用于多种电力电子应用。其低门极电荷、增强的坚固性和全面表征的参数使其在市场上具备很强的竞争优势。强烈推荐给需要高效能电力电子设备的设计工程师。

KF7N50P-VB参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Id-连续漏极电流 13A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KF7N50P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KF7N50P-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KF7N50P-VB KF7N50P-VB数据手册

KF7N50P-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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