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MDIS2N60TH-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: MDIS2N60TH-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) MDIS2N60TH-VB

MDIS2N60TH-VB概述

    MDIS2N60TH N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    MDIS2N60TH 是一款高性能的 N-通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于功率管理和转换系统中。其主要功能包括开关控制、电压调节和电流限制。这种类型的 MOSFET 广泛应用于工业控制、电源管理、通信设备等领域。

    技术参数


    - 额定参数
    - 漏源电压 (VDS): 650 V
    - 门源电压 (VGS): ± 30 V
    - 连续漏极电流 (ID): 1.28 A (TC = 25 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 8 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 165 mJ
    - 反复雪崩电流 (IAR): 2 A
    - 反复雪崩能量 (EAR): 6 mJ
    - 最大功耗 (PD): 45 W (TC = 25 °C)
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 (VDS): 650 V (VGS = 0 V, ID = 250 µA)
    - 门源阈值电压 (VGS(th)): 2.0 - 4.0 V (VDS = VGS, ID = 250 µA)
    - 门源泄漏电流 (IGSS): VGS = ± 30 V 时 ≤ ± 100 nA
    - 零门电压漏极电流 (IDSS): VDS = 650 V, VGS = 0 V 时 ≤ 25 µA
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 417 pF (VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1.0 MHz)
    - 输出电容 (Coss): 45 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 5 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 11 nC (VGS = 10 V, ID = 1 A, VDS = 400 V)

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:MDIS2N60TH 的栅极电荷较低,减少了驱动需求,提高了效率。
    2. 增强型栅极、雪崩和动态 dV/dt 的鲁棒性:这些特性增强了产品的稳定性和可靠性。
    3. 全面表征的电容和雪崩电压、电流:确保产品在各种条件下的性能稳定。
    4. 符合 RoHS 规范:符合欧盟 RoHS 指令,适用于环保要求较高的应用场合。

    应用案例和使用建议


    MDIS2N60TH 在多种应用场景中表现出色,如电源管理、电机驱动、逆变器等。对于具体的应用,以下是一些使用建议:
    - 在高压应用中,确保漏源电压不超过 650 V。
    - 选择合适的门源电压以控制漏极电流。
    - 使用低寄生电感和接地平面来减少电磁干扰。
    - 采用低泄漏电感电流变压器来优化性能。

    兼容性和支持


    MDIS2N60TH 与其他标准电子元件兼容,并且提供技术支持和维护服务。如有任何疑问或技术支持需求,可联系制造商获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 漏源电压 (VDS) 过高导致损坏怎么办?
    - A: 确保工作电压不超过 650 V,并使用合适的散热措施。

    2. Q: 门源电压 (VGS) 波动如何处理?
    - A: 使用稳压电路保持 VGS 稳定,避免电压波动。
    3. Q: 高温环境下工作,散热不佳怎么办?
    - A: 使用适当的散热片和风扇来改善散热效果,确保结温不高于 150 °C。

    总结和推荐


    MDIS2N60TH 是一款性能优越的 N-通道 MOSFET,具有低栅极电荷、增强的鲁棒性和全面的特性表征。其在高压应用中表现出色,能够满足各种复杂的工作环境需求。因此,我们强烈推荐这款产品用于高压功率管理和转换系统。

MDIS2N60TH-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 2A
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

MDIS2N60TH-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

MDIS2N60TH-VB数据手册

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MDIS2N60TH-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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