处理中...

首页  >  产品百科  >  K3199-VB

K3199-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K3199-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3199-VB

K3199-VB概述


    产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是电子元器件中的一种核心器件,广泛应用于多种高功率和高频电路中。它通过控制电压来管理电流,具有低导通电阻、快速开关速度和高效率等特点。适用于服务器和电信电源系统、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)以及各种照明和工业应用。

    技术参数


    - 漏源击穿电压 (VDS):最大值为650 V,最高工作温度下(TJ max.)漏源电压可达650 V。
    - 栅极与源极间阈值电压 (VGS(th)):典型值为2.5至5 V。
    - 导通电阻 (RDS(on)):在25 °C时,栅极电压为10 V条件下,典型值为1 Ω。
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值为32 nC。
    - 输入电容 (Ciss):无具体数值,需结合其他条件确定。
    - 输出电容 (Coss):无具体数值,需结合其他条件确定。
    - 反向转移电容 (Crss):无具体数值,需结合其他条件确定。
    - 连续漏极电流 (ID):在25 °C时可达3.5 A,在100 °C时可达1 A。
    - 脉冲漏极电流 (IDM):最大值由最大结温限制。
    - 最大功耗 (PD):最大可达140 W。
    - 存储温度范围 (Tstg):-55 °C至+150 °C。

    产品特点和优势


    - 低功率损耗:该MOSFET具有低导通电阻 (RDS(on)) 和低输入电容 (Ciss),能够有效减少开关和传导损耗。
    - 高效率:低栅极电荷 (Qg) 减少了门极驱动损耗,从而提高了整体效率。
    - 高可靠性:经过严格的测试验证,确保其在高功率环境下的稳定性和可靠性。
    - 宽工作温度范围:能够在极端温度环境下工作,保证设备在各种恶劣环境下的正常运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源系统:作为高可靠性的电源转换组件。
    - 开关模式电源供应器 (SMPS):用于高效率的能量转换。
    - 照明:如高强度放电灯 (HID) 和荧光灯镇流器的应用。
    使用建议
    - 电路设计优化:对于高功率应用,建议采用更低的栅极电阻以加快开关速度,但需注意增加的功耗。
    - 散热设计:由于其高功耗特性,良好的散热设计尤为重要。建议采用大面积散热片或热管进行冷却。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET可与多种现有的电子元器件和设备兼容。
    - 支持与维护:厂商提供详细的技术文档和支持,包括安装指南、维修手册和技术咨询服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:如何优化开关损耗?
    - 解决方案:减少栅极电阻 (Rg),但需注意增加的功耗。

    - 问题二:长时间高功率使用时如何避免过热?
    - 解决方案:使用高效散热器并优化电路设计,如采用更低的栅极电阻或增加散热片面积。

    总结和推荐


    这款Power MOSFET凭借其卓越的性能指标和广泛的适用性,成为高功率应用中的理想选择。其低导通电阻、快速开关速度和高效率使其在服务器、电信电源系统、SMPS及各种工业应用中表现出色。总体而言,该产品在性能和可靠性方面均表现优异,强烈推荐使用。

K3199-VB参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 7A
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3199-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3199-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3199-VB K3199-VB数据手册

K3199-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336