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NSTR4501NT1G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3 \n 一款单 N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
供应商型号: NSTR4501NT1G-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NSTR4501NT1G-VB

NSTR4501NT1G-VB概述

    N-Channel 20V MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 20V MOSFET 是一种高性能的场效应晶体管(FET),专为各种电子应用设计。该产品采用TrenchFET®技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高开关速度。这种类型的MOSFET 主要应用于直流/直流转换器、便携设备负载开关等领域。

    技术参数


    以下是 N-Channel 20V MOSFET 的关键技术参数:
    - 漏源电压 (VDS):20V
    - 最大连续漏电流 (ID):6A (TC = 25°C)
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):20A
    - 最大功率耗散 (PD):2.1W (TC = 25°C)
    - 热阻 (RthJA):80°C/W
    - 热阻 (RthJF):40°C/W
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 0.45V ~ 1.0V
    - 栅极电荷 (Qg):8.8nC (VGS = 4.5V)
    其他详细参数包括:
    - 输入电容 (Ciss):865pF (VDS = 10V, VGS = 0V)
    - 输出电容 (Coss):105pF
    - 反向传输电容 (Crss):55pF
    - 零栅压漏电流 (IDSS):1μA (VDS = 20V)
    - 单脉冲安全操作区 (SOA):根据 RDS(on) 和 BVDSS 定义

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on) 在 VGS = 4.5V 时仅为 0.028Ω,在 VGS = 2.5V 时为 0.042Ω,这有助于减少功耗并提高效率。
    2. 高可靠性:100% 阻抗测试确保产品质量,符合RoHS标准。
    3. 高开关频率:得益于较低的栅极电荷(Qg),该器件适合高速开关应用。
    4. 无卤素材料:符合IEC 61249-2-21标准,适用于环保要求高的场合。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于便携式设备中的负载开关及直流/直流转换器。在这些应用场景中,N-Channel 20V MOSFET 能够有效降低功耗、提升系统稳定性。使用时建议注意以下几点:
    1. 散热管理:考虑到其热阻(RthJA = 80°C/W),在高功率应用中需要合理设计散热系统。
    2. 驱动电路:选择合适的驱动电压和电流以确保开关速度和可靠性的最佳平衡。
    3. 保护措施:在电路中添加必要的保护电路,如瞬态电压抑制二极管(TVS),以防止过电压损害。

    兼容性和支持


    N-Channel 20V MOSFET 采用标准的SOT-23封装,易于与其他常见的电路板元件集成。制造商提供详尽的技术支持和产品文档,包括电路设计指南和使用注意事项。

    常见问题与解决方案


    1. 发热问题
    - 问题:长时间工作后,MOSFET 发热严重。
    - 解决方案:增加外部散热片,改进散热设计,确保良好的空气流通。

    2. 开关频率不稳定
    - 问题:高频应用中出现开关频率不稳定的状况。
    - 解决方案:检查电路设计是否存在问题,适当调整驱动电压和电流设置。
    3. 击穿电压异常
    - 问题:VDS 测量值超出预期范围。
    - 解决方案:确认驱动电压是否超过安全范围,检查是否存在反向电压施加到器件上。

    总结和推荐


    N-Channel 20V MOSFET 在多个方面表现出色,其低导通电阻、高可靠性及环保材料使它成为众多电子应用的理想选择。特别是在需要高效率和高可靠性的地方,如便携设备和直流/直流转换器中,这款MOSFET 将能发挥出色的表现。强烈推荐给对性能和可靠性有高要求的设计工程师。
    通过结合上述特点,N-Channel 20V MOSFET 成为了市场上极具竞争力的产品之一。

NSTR4501NT1G-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 6A
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 8V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV~1V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NSTR4501NT1G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NSTR4501NT1G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NSTR4501NT1G-VB NSTR4501NT1G-VB数据手册

NSTR4501NT1G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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