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K2020-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: K2020-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2020-01MR-VB

K2020-01MR-VB概述

    N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 650V Power MOSFET(型号:K2020-01MR-VB)是一款高性能的N沟道功率MOSFET器件,广泛应用于电源管理、逆变器、电机驱动及各类电力电子设备。它采用TO-220 Fullpak封装,具有低导通电阻(RDS(on))、高雪崩耐受能力以及出色的动态开关特性,适合高可靠性要求的应用场合。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS 650 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 4.0 | V |
    | 零栅压漏电流 | IDSS 25 | µA |
    | 导通电阻 | RDS(on) 2.5 Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg 48 nC |
    | 栅源电荷 | Qgs 12 nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd 19 nC |
    | 最大结温 | TJ, Tstg | -55 150 | °C |
    | 最大脉冲栅源电压 | VGS | ±30 V |

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷Qg:简化驱动要求,降低了电路复杂度。
    - 增强型栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性:提升了器件的耐用性和可靠性。
    - 全面表征的电容和雪崩电压电流:确保在各种工作条件下都能保持性能稳定。
    - 符合RoHS标准:环保且安全,满足现代电子设备的要求。

    应用案例和使用建议


    K2020-01MR-VB MOSFET适用于高频率转换和高效率要求的应用场景,如服务器电源、LED照明、太阳能逆变器和电机驱动。对于具体的应用设计,建议遵循以下原则:
    - 确保散热良好,避免因过热导致性能下降。
    - 设计合理的驱动电路,以减少栅极驱动损耗。
    - 在测试过程中考虑电路布局的影响,降低寄生电感。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品与其他主流高压MOSFET引脚兼容,可直接替换使用。
    - 支持和服务:制造商提供全面的技术支持和售后保障,客户可通过服务热线(400-655-8788)咨询相关问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:电路启动时出现异常振荡。
    - 解决方案:检查驱动电路的设计,适当增加栅极电阻,减缓开关速度。
    - 问题2:设备运行一段时间后温度过高。
    - 解决方案:加强散热措施,如安装散热片或风扇,并确保良好的通风条件。
    - 问题3:驱动波形不理想。
    - 解决方案:检查驱动电路的布局和元件选型,确保阻抗匹配,降低噪声干扰。

    总结和推荐


    K2020-01MR-VB N-Channel 650V Power MOSFET凭借其优异的性能参数、可靠的工艺质量和广泛的应用范围,成为市场上的热门选择。其独特的技术优势使其在电源管理和电力电子系统中表现出色。强烈推荐此产品用于高可靠性和高效能需求的应用项目。
    通过本文的技术手册摘要,您应该已经对K2020-01MR-VB MOSFET有了全面了解。如果您需要进一步技术支持或购买,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

K2020-01MR-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 4A
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2020-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2020-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2020-01MR-VB K2020-01MR-VB数据手册

K2020-01MR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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