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UF630L-TN3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道场效应晶体管,具有200V的额定漏极-源极电压和10A的漏极电流。其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。200V,10A,RDS(ON),245mΩ@10V,368mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.06Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: UF630L-TN3-R-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UF630L-TN3-R-VB

UF630L-TN3-R-VB概述

    # UF630L-TN3-R N-Channel 200V MOSFET 技术手册解读

    产品简介


    UF630L-TN3-R 是一款高性能的 N 沟道 200V 功率 MOSFET(场效应晶体管),采用 TrenchFET® 技术,适合用于 PWM(脉宽调制)优化的电源设计。其主要应用于作为主开关器件,具有出色的热稳定性和高可靠性。这款产品以其卓越的开关速度和低导通电阻(RDS(on))著称,在众多电力电子应用中表现优异。
    主要特点:
    - TrenchFET® 功率 MOSFET 技术。
    - 工作温度范围宽,最高可达 175°C。
    - 符合 RoHS 指令要求,环保友好。
    - 适用于多种电源管理电路,例如作为初级侧开关器件。

    技术参数


    以下是 UF630L-TN3-R 的关键性能参数和技术指标:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 200 V |
    | 漏极电流(连续) | ID 40 A |
    | 导通电阻(VGS=10V) | RDS(on) 0.290 | 0.320 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | 1800 pF |
    | 输出电容 | Coss | 180 pF |
    | 转移电容 | Crss | 80 pF |
    | 最大功耗(TA=25℃) | PD 96 W |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 175 | °C |
    工作环境:
    - 结温范围:-55°C 至 +175°C。
    - 热阻抗:RthJA = 15°C/W(典型值),RthJC = 0.85°C/W(典型值)。

    产品特点和优势


    UF630L-TN3-R MOSFET 在电力电子系统中的主要优势包括:
    1. 高效的开关性能:得益于 TrenchFET® 技术,开关损耗显著降低,提升系统效率。
    2. 宽广的工作温度范围:可适应严苛环境下的工业应用需求。
    3. 卓越的可靠性:支持高温运行且符合 RoHS 标准,确保长期稳定性。
    4. 出色的电流承载能力:连续漏极电流高达 40A,满足大多数电源设计的需求。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 开关电源:作为初级侧开关器件,提高电源转换效率。
    - 逆变器:用于高频逆变电路,减少发热并增强稳定性。
    - 电机驱动:配合 PWM 控制实现精确控制。
    使用建议:
    - 确保 PCB 设计时留有足够的散热空间,以避免过热问题。
    - 对于高功率应用,需额外增加外部散热片以辅助降温。
    - 定期检查器件的温升情况,特别是在高负载条件下。

    兼容性和支持


    UF630L-TN3-R 支持广泛的外围组件集成,兼容主流 PCB 尺寸及焊盘设计。VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线帮助中心、电话客服热线(400-655-8788),以便用户快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 增加散热片或改善通风条件 |
    | 开关速度较慢 | 减少栅极电阻以加快响应时间 |
    | 导通电阻偏大 | 检查 VGS 是否达到最小阈值 |

    总结和推荐


    总体而言,UF630L-TN3-R 是一款专为高性能电力电子应用设计的 N 沟道 MOSFET,具备高效能、高可靠性和广泛适用性的特点。对于需要低导通电阻和快速开关速度的应用场合,这款产品无疑是理想的选择。因此,我们强烈推荐此产品给需要高效能功率管理解决方案的设计工程师。如果您正在寻找一款耐用、易用且经济实惠的 MOSFET,请考虑 UF630L-TN3-R。

UF630L-TN3-R-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 10A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.06V
Rds(On)-漏源导通电阻 245mΩ@10V,368mΩ@4.5V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UF630L-TN3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UF630L-TN3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UF630L-TN3-R-VB UF630L-TN3-R-VB数据手册

UF630L-TN3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.5269
100+ ¥ 2.3398
500+ ¥ 2.2462
2500+ ¥ 2.1526
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