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340N08NS3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,30A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
供应商型号: 340N08NS3-VB QFN8(5X6)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 340N08NS3-VB

340N08NS3-VB概述


    产品简介


    340N08NS3-VB是一款由VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用TrenchFET技术制造,具有高耐压(100V)和低热阻封装的特点。该产品广泛应用于隔离式DC/DC转换器等领域。

    技术参数


    以下是340N08NS3-VB的主要技术规格:
    - 漏源电压(VDS):100V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(TJ=150°C):
    - 25°C时:30A
    - 70°C时:19A
    - 25°C时(脉冲模式):10A
    - 脉冲漏极电流(t = 100μs):75A
    - 最大功率耗散(TA = 25°C):60W
    - 正向导通电阻(RDS(on),VGS=10V,ID=10A):0.017Ω
    - 结温范围(TJ, Tstg):-55°C至+150°C
    - 反向恢复时间(trr):4ns(IS = 5A,VGS = 0V)
    - 零门极电压漏极电流(IDSS):1μA(VDS = 100V,VGS = 0V)

    产品特点和优势


    1. 高温操作能力:该器件可在高达175°C的结温下工作,适用于高温环境下的应用。
    2. 低热阻封装:低热阻设计有助于提高散热性能,保证器件稳定运行。
    3. 高可靠性测试:所有产品均通过100% Rg测试,确保产品质量。
    4. 超低导通电阻:0.017Ω的低导通电阻(VGS=10V,ID=10A),可以有效减少功耗和发热。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    340N08NS3-VB主要用于隔离式DC/DC转换器,如开关电源和电机驱动器等。在这些应用中,其优异的电气特性和可靠性能够保证系统的高效稳定运行。
    使用建议
    1. 热管理:由于该器件具有较高的功率密度,在设计电路时应充分考虑散热措施,例如使用散热片或散热风扇。
    2. 负载匹配:在使用过程中,注意匹配合适的负载以避免过流现象,从而延长器件寿命。
    3. 门极驱动:合理设置门极驱动电压,以降低导通损耗,提升整体效率。

    兼容性和支持


    该产品与现有的多种电源管理和控制模块具有良好的兼容性。VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,帮助客户解决使用过程中的问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温环境下运行不稳定 | 确保电路板有足够的散热空间,并考虑使用外部散热装置。 |
    | 导通电阻偏大 | 检查是否门极驱动电压不足,适当提高门极驱动电压。 |
    | 反向恢复时间较长 | 确认外部电路的布局,尽量减小杂散电感的影响。 |

    总结和推荐


    综上所述,340N08NS3-VB是一款具备高可靠性和高性能的N沟道MOSFET,特别适合于需要高温运行和高效率的应用场合。它的低导通电阻、高温操作能力和低热阻封装使其成为隔离式DC/DC转换器和其他功率电子应用的理想选择。鉴于其优异的性能和可靠的设计,我们强烈推荐这一产品给需要高功率密度和高温环境应用的工程师和设计师。

340N08NS3-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@10V,22mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
通道数量 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 30A
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

340N08NS3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

340N08NS3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 340N08NS3-VB 340N08NS3-VB数据手册

340N08NS3-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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