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NDF08N60ZG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: NDF08N60ZG-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NDF08N60ZG-VB

NDF08N60ZG-VB概述

    NDF08N60ZG N-Channel Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NDF08N60ZG 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,主要用于电源管理及开关模式电源(SMPS)应用。该器件采用 TO-220 Fullpak 封装,适用于高电压环境下的工作条件。通过优化的栅极电荷和导通电阻,该产品在高效率电力转换应用中表现出色,是各类工业、照明及通信系统中的理想选择。

    2. 技术参数


    - 主要参数:
    - VDS(最大电压):650 V
    - RDS(on)(导通电阻):最大值为 1.0 Ω (VGS = 10 V, 25 °C)
    - Qg(总栅极电荷):最大值为 13 nC
    - Qgs(栅极源极电荷):最大值为 11.1 nC
    - Qgd(栅极漏极电荷):最大值为 11.8 nC
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 VDS:650 V
    - 栅源电压 VGS:±30 V
    - 持续漏极电流 ID:TC = 25 °C 时为 55 A,TC = 100 °C 时为 25 A
    - 单脉冲雪崩能量 EAS:88 mJ
    - 最大功率耗散 PD:120 W
    - 结温与存储温度范围 TJ, Tstg:-55 °C 到 +150 °C
    - 热阻抗 RthJA:最大值为 63 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:NDF08N60ZG 的低导通电阻显著减少了功率损耗,提升了系统的整体效率。
    - 低栅极电荷:超低的栅极电荷(Qg)降低了驱动损耗,进一步提高了开关效率。
    - 快速开关性能:优秀的开关性能和低输入电容特性使得它适合高频应用。
    - 雪崩能力:具备较高的雪崩能量等级,确保在恶劣环境下稳定工作。
    - 宽工作温度范围:-55 °C 至 +150 °C 的宽工作温度范围使其适用于各种环境。

    4. 应用案例和使用建议


    NDF08N60ZG 广泛应用于服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及高亮度照明系统如 HID 和荧光灯等。对于应用中遇到的具体需求,可以考虑以下建议:
    - 高功率密度系统:选择合适的散热方式以保持良好的热性能。
    - 高频切换电路:使用更细的 PCB 布线以减少寄生电感,提高系统效率。
    - 复杂控制电路:确保适当的门驱动设计,以避免振荡和过冲现象。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NDF08N60ZG 具备与其他标准 MOSFET 相同的封装和引脚配置,易于替代其他品牌的产品。
    - 支持和维护:制造商提供详尽的技术文档和用户指南,确保客户能够顺利集成到设计中。如有任何问题,可联系 VBsemi 客服寻求技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:产品安装后不能正常工作。
    - 解决方案:检查引脚连接是否正确,重新焊接或更换损坏的元件。
    - 问题2:工作时温度异常升高。
    - 解决方案:改善散热设计,适当增加散热片或者采用主动冷却方式。
    - 问题3:输出不稳定。
    - 解决方案:检查电源电压是否稳定,必要时增加滤波电容。

    7. 总结和推荐


    NDF08N60ZG 以其卓越的性能、广泛的适用性和强大的技术支持,在市场上具有很强的竞争力。对于需要高效能电力转换的应用场合,该产品是一个非常可靠的选择。我们强烈推荐使用这款产品来满足您的设计需求。

NDF08N60ZG-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 7A
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NDF08N60ZG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NDF08N60ZG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NDF08N60ZG-VB NDF08N60ZG-VB数据手册

NDF08N60ZG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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