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FUC20-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: FUC20-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FUC20-VB

FUC20-VB概述

    FUC20 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    FUC20 是一款高性能的N-通道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种电力转换应用。它具有低栅极电荷、出色的栅极耐压、雪崩耐受能力和动态dv/dt耐压等特点。该产品主要用于开关电源、电机驱动、电动汽车充电系统和太阳能逆变器等领域。

    技术参数


    - 电压参数
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 650V
    - 静态漏源击穿电压 \( V{DS} \): 650V(\( V{GS} = 0 \) V,\( ID = 250 \mu A \))
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): 4.0Ω(\( V{GS} = 10 \) V,\( ID = 1 \) A)

    - 电流参数
    - 连续漏极电流 \( ID \): 1.28A(\( TC = 25 \) °C)
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 165mJ
    - 反复雪崩电流 \( I{AR} \): 2A
    - 反复雪崩能量 \( E{AR} \): 6mJ

    - 电容参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 417pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 45pF
    - 有效输出电容 \( C{oss \text{eff}} \): 912pF(\( V{DS} = 520 \) V)

    - 热阻参数
    - 最大结到环境热阻 \( R{thJA} \): 65°C/W
    - 最大结到外壳(漏极)热阻 \( R{thJC} \): 2.1°C/W

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷: 低栅极电荷 \( Qg \)(最大值为11nC)简化了驱动需求,降低了驱动电路的复杂度。
    - 增强的耐用性: 改进了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性,使得产品更稳定可靠。
    - 全面的电气特性: 包括完全表征的电容、雪崩电压和电流,确保了产品的高可靠性。
    - 符合RoHS标准: 符合欧盟《关于限制在电子电器设备中使用某些有害成分的指令》2002/95/EC,无铅环保。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源: 在高频开关电源中,FUC20能有效降低开关损耗,提高效率。
    - 电机驱动: 适用于高压电机驱动系统,提供稳定的电流控制和快速响应。
    - 电动汽车充电系统: 由于其高效的电流处理能力,可以应用于电动汽车的快速充电系统。
    - 太阳能逆变器: 低栅极电荷和高效雪崩耐受性使其成为太阳能逆变器的理想选择。
    使用建议:
    - 为了提高系统的稳定性,建议采用低杂散电感的设计布局。
    - 确保良好的接地平面设计,减少漏电流。
    - 控制驱动电路的\( V{GS} \)和 \( dV/dt \),以防止过高的瞬态电压对MOSFET造成损害。

    兼容性和支持


    - 兼容性: FUC20可与现有的大多数电子设备和电路板兼容,便于集成和应用。
    - 技术支持: 制造商提供了详尽的技术支持和维护服务,包括文档、培训和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 开关频率过高导致发热严重怎么办?
    - A: 适当减小栅极电阻 \( RG \),降低驱动速度,同时确保散热设计良好。

    2. Q: 电流过大时,如何保护MOSFET不被损坏?
    - A: 使用外部限流电路,或者选用更高额定电流的产品。

    总结和推荐


    FUC20是一款高性能的N-通道功率MOSFET,具备低栅极电荷、优异的电气特性和可靠性,适用于多种电力转换应用。它的各项技术指标优秀,且符合RoHS标准,因此强烈推荐用于现代电力电子系统的设计中。

FUC20-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 2A
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 10V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FUC20-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FUC20-VB数据手册

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FUC20-VB封装设计

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