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PMN34LN-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,6A,RDS(ON),30mΩ@10V,40mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:SOT23-6 具有小型封装和低功耗特性,能够满足小型电子设备和低功率应用的要求,是一款适用于小型电路控制和低功率应用的高性能MOSFET产品。
供应商型号: PMN34LN-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) PMN34LN-VB

PMN34LN-VB概述

    PMN34LN N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    PMN34LN 是一款采用TrenchFET®技术的N沟道30V MOSFET,适用于直流/直流转换器及高速开关应用。其核心特点是低导通电阻(RDS(on)),能够显著减少功耗并提高效率。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - 额定电压:30V(D-S)
    - 最大栅源电压:±20V
    - 连续漏极电流:6A(@TC=25°C)
    - 典型值
    - 导通电阻(RDS(on)):0.023Ω @ VGS=10V
    - 总栅电荷(Qg):4.2nC @ VGS=4.5V
    - 热阻抗(RthJA):75°C/W
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压:30V
    - 栅源电压:±20V
    - 连续漏极电流(@TJ=150°C):6A
    - 脉冲漏极电流(@t=300μs):25A
    - 最大功率耗散:2.5W (@TC=25°C)
    - 电气特性
    - 输入电容(Ciss):424pF
    - 输出电容(Coss):100pF
    - 反向转移电容(Crss):42pF
    - 开启延迟时间(td(on)):6~12ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):14~21ns

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:0.023Ω(@VGS=10V),0.027Ω(@VGS=4.5V),确保了高效的能量转换。
    - 高可靠性:100% Rg测试,保证每个批次的产品都符合严格的质量标准。
    - 环保材料:符合RoHS指令(2002/95/EC),并且无卤素(符合IEC 61249-2-21标准定义)。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用领域:适合于DC/DC转换器、高速开关及其他需要高效能和低功耗的应用场景。
    - 使用建议:
    - 在选择合适的栅极驱动电阻时,应注意栅极电阻(Rg)的范围应在2.5~25.2Ω之间。
    - 为确保最佳性能,建议将器件安装在具有良好散热性能的PCB上。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于多种工业标准接口和布局,如TSOP-6封装。
    - 支持和服务:制造商提供详尽的技术文档和支持,确保用户能够顺利集成该器件到现有系统中。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 器件在高温环境下工作时如何避免过热?
    - A: 可以通过增加散热片或改进PCB设计来提高散热效果。同时,建议使用低于绝对最大额定值的操作条件以延长使用寿命。
    - Q: 如何判断器件是否处于损坏状态?
    - A: 定期检查器件的外观是否有损伤,测量其关键参数如RDS(on)是否超出了正常范围。如果发现异常,应及时更换。

    7. 总结和推荐


    - 总结:PMN34LN是一款具有高性能和低功耗特点的N沟道MOSFET,特别适合用于要求严苛的应用环境中。它提供了出色的电气性能和可靠的设计,使得在各种工业和消费电子产品中得到广泛应用。
    - 推荐:强烈推荐在需要高效能量转换和稳定性能的场合使用此产品。对于任何对可靠性有极高要求的应用来说,PMN34LN无疑是一个理想的选择。

PMN34LN-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,40mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 6A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

PMN34LN-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

PMN34LN-VB数据手册

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PMN34LN-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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