处理中...

首页  >  产品百科  >  J681-VB

J681-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-60V,-25A,RDS(ON),66mΩ@10V,80mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.43Vth(V) 封装:TO251适用于电源管理、电动车辆、LED照明和工业控制设备等多种领域和模块,为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。
供应商型号: J681-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J681-VB

J681-VB概述

    # P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    本产品是一款高性能的P-Channel MOSFET(P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管),采用了TrenchFET® Power MOSFET技术。这种晶体管广泛应用于负载开关等场合,具有良好的耐压和电流承载能力。
    主要功能
    - 漏源极电压 (VDS) 高达60V
    - 最大漏极连续电流 (ID) 为20A(在25°C时)
    - 转导电容 (Crss) 最高达150pF
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS) 最低为-1μA
    应用领域
    - 负载开关
    - 电源管理
    - 通信设备

    技术参数


    以下是P-Channel MOSFET的关键技术参数和性能指标:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源极电压 | VDS -60 | V |
    | 栅源极阈值电压 | VGS(th)| -1.0 2.5 | V |
    | 零栅极电压漏极电流 | IDSS | -1 -10 | μA |
    | 开态漏源电阻 | RDS(on) 0.066| 0.080| Ω |
    | 转导电容 | Crss 150 | pF |

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:100% 经受UIS测试,确保长期稳定运行。
    2. 高性能:具有优秀的开态漏源电阻 (RDS(on)) 和转导电容 (Crss),适用于高频和大功率应用。
    3. 宽温度范围:能够在-55°C到150°C的温度范围内正常工作。
    4. 优良的散热设计:热阻率 (RthJA) 低至33°C/W,保证了高效散热。

    应用案例和使用建议


    P-Channel MOSFET非常适合用于负载开关和电源管理系统。例如,在电池充电电路中,该MOSFET可以有效地控制充电电流,防止过流导致的损坏。
    使用建议
    - 确保电路中的其他元件也能够承受该MOSFET的额定电压和电流。
    - 在高温环境下使用时,应特别注意散热设计以确保器件正常工作。

    兼容性和支持


    本产品可与标准的PCB设计兼容,采用TO-251封装形式。制造商提供全面的技术支持和客户服务,如需更多详细资料请咨询400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备在低温下无法正常启动。
    解决方法:检查是否符合最低工作温度要求,并确保电路设计中包含适当的加热措施。
    2. 问题:栅极信号不稳定。
    解决方法:检查栅极引脚连接是否松动,确保栅极电阻 (Rg) 符合应用要求。

    总结和推荐


    P-Channel MOSFET凭借其高可靠性、卓越的性能和广泛的适用性,在众多应用场景中表现出色。无论是负载开关还是电源管理,这款MOSFET都将是理想的选择。强烈推荐用于需要高精度和高可靠性的电力系统中。
    本文档提供的信息来自技术手册,并且根据需要进行了编辑和整理。希望这些内容能帮助您更好地理解和使用P-Channel MOSFET。

J681-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 25A
Rds(On)-漏源导通电阻 66mΩ@10V,80mΩ@4.5V
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.43V
通道数量 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

J681-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J681-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J681-VB J681-VB数据手册

J681-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.4911
4000+ ¥ 1.4262
库存: 400000
起订量: 20 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 35
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504