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K3097LS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: K3097LS-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3097LS-VB

K3097LS-VB概述

    K3097LS-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K3097LS-VB 是一款高性能的N沟道650V(漏极-源极)功率MOSFET,专为高效率应用而设计。它主要应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)和照明等领域。这款MOSFET以其低损耗、高可靠性及广泛的工作范围而著称,适用于多种工业和商业应用。

    技术参数


    K3097LS-VB 的技术参数如下:
    - 最大漏源电压(VDS):650V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):在25°C时,典型值为5.6mΩ(VGS=10V)
    - 最大连续漏电流(ID):12A(TJ=25°C),在100°C时降额为9.4A
    - 最大脉冲漏电流(IDM):45A
    - 有效输出电容(Co):63pF
    - 最大功率耗散(PD):13W
    - 最大雪崩能量(EAS):3.5mJ
    - 额定工作温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 绝缘栅极泄漏电流(IGSS):±100nA
    - 输入电容(Ciss):典型值为1200pF(VGS=0V, VDS=100V, f=1MHz)

    产品特点和优势


    K3097LS-VB 具有以下显著特点和优势:
    - 低导通电阻:RDS(on)在25°C时典型值为5.6mΩ,可实现高效能工作。
    - 超低门极电荷:Qg(总门极电荷)典型值为43nC,确保快速开关时间和低开关损耗。
    - 超低输入电容:Ciss(输入电容)典型值为1200pF,减少了驱动损耗。
    - 降低损耗:具有优秀的热阻特性,RthJC 仅为0.8°C/W,有助于散热管理。
    - 高可靠性:雪崩能量评级(UIS)和最大工作温度范围(-55°C 到 +150°C)保证了长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    K3097LS-VB 可以用于多种应用场合,例如:
    - 服务器和电信电源:用于服务器电源系统和通信设备中,提高电源效率。
    - 开关模式电源(SMPS):在高效转换电源设计中提供可靠的切换功能。
    - 功率因数校正电源(PFC):作为关键元件提升电源质量。
    - 照明应用:如高强度放电灯(HID)和荧光灯球泡。
    在使用过程中,建议考虑:
    - 良好的散热设计:由于其较高的工作电流和电压,确保足够的散热措施来避免过热。
    - 驱动电路的优化:利用其低输入电容的特点,可以简化驱动电路的设计,减少驱动损耗。
    - 测试验证:确保在实际应用中通过必要的电气和热学测试,确认其工作性能。

    兼容性和支持


    K3097LS-VB 支持与标准接口的其他组件兼容。制造商提供详细的技术文档和支持服务,包括但不限于:
    - 技术手册:包含详细的电气和热学参数。
    - 应用指南:提供设计建议和实例。
    - 技术支持:可以通过热线电话 400-655-8788 获得帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何正确连接K3097LS-VB?
    - 解决方案:参考手册中的典型电路图,正确连接G(栅极)、D(漏极)和S(源极)引脚。
    - 问题:在高温环境下工作时,K3097LS-VB 性能是否会受影响?
    - 解决方案:确保散热设计充分,且工作温度不超过150°C。
    - 问题:如何确保驱动电路的稳定性?
    - 解决方案:选择合适的驱动电阻(Rg),并使用适当的驱动电压以避免振荡。

    总结和推荐


    总体而言,K3097LS-VB N-Channel 650V 功率MOSFET 在其应用领域内表现出色。其卓越的低损耗特性、宽泛的工作温度范围和出色的热管理能力使其成为服务器电源、电信电源和工业应用的理想选择。我们强烈推荐此产品用于需要高效、可靠电源管理的应用场景。

K3097LS-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 12A
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3097LS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3097LS-VB数据手册

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K3097LS-VB封装设计

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