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IRF8915TRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.9Vth(V) 封装:SOP8适用于需要高性能开关的电路和模块,电源逆变器模块、电动车辆控制模块、工业自动化模块、LED 照明模块。
供应商型号: IRF8915TRPBF-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF8915TRPBF-VB

IRF8915TRPBF-VB概述

    IRF8915TRPBF 20V N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF8915TRPBF 是一款由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd.生产的双N沟道20V(D-S)MOSFET。它采用表面贴装技术,具有高效能和低功耗的特点,适用于多种工业和消费电子应用。此款MOSFET符合RoHS标准,无卤素材料,确保环保且高性能。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):20V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = 4.5V时为 0.019Ω
    - 在 VGS = 2.5V时为 0.026Ω
    - 连续漏极电流 (ID):
    - 在 TJ = 150°C 时,TA = 25°C 时为 7.1A
    - 在 TA = 70°C 时为 5.7A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):40A
    - 最大功率耗散 (PD):
    - 在 TA = 25°C 时为 2W
    - 在 TA = 70°C 时为 1.3W
    - 绝对最大额定值:
    - 门极-源极电压 (VGS):±12V
    - 最大存储温度范围 (TSTG):-55°C 至 150°C
    - 热阻 (RthJA):62.5°C/W

    产品特点和优势


    1. 高效率:IRF8915TRPBF 的低导通电阻确保在各种负载条件下都能实现高效的能量转换。
    2. 快速开关:其低门电荷和低门电阻使其能够在高频应用中表现出色。
    3. 坚固耐用:设计符合严格的电气测试要求,能够承受极端工作条件。
    4. 环保材料:采用无卤素材料,符合RoHS标准,适合现代绿色电子产品需求。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:IRF8915TRPBF 可用于电源管理、电机驱动、照明控制和汽车电子等领域。
    - 使用建议:为了确保最佳性能,在电路设计时应充分考虑其最大功率耗散和热阻参数。在高电流应用中,建议增加散热片以提高热管理效果。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRF8915TRPBF 采用标准SO-8封装,易于与其他标准电路板组件兼容。
    - 支持:台湾VBsemi Electronics 提供详尽的技术文档和支持服务,客户可通过服务热线 400-655-8788 获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何正确安装IRF8915TRPBF?
    - 解决方案:参考产品手册中的安装指南,确保焊接过程符合制造商的标准。
    - 问题2:过载时器件是否会损坏?
    - 解决方案:遵循手册中的额定电流限制,过载保护电路设计是必要的。

    总结和推荐


    IRF8915TRPBF 双N沟道20V MOSFET 是一款可靠且高效的电子元器件,广泛适用于多种应用场景。其出色的电气性能和环保材料使其在市场上具备显著的竞争优势。强烈推荐给需要高效率和高可靠性的工程师和设计师。
    备注:台湾VBsemi Electronics Co., Ltd. 对任何错误或不准确的数据不承担责任,用户应自行验证产品特性以确保适用性。

IRF8915TRPBF-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 900mV
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 12V
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 8A
Vds-漏源极击穿电压 20V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF8915TRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF8915TRPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF8915TRPBF-VB IRF8915TRPBF-VB数据手册

IRF8915TRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.1656
100+ ¥ 1.0793
500+ ¥ 1.0361
4000+ ¥ 0.9929
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