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UT75N03-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: UT75N03-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT75N03-VB

UT75N03-VB概述

    UT75N03 N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    UT75N03 是一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其基本结构是硅栅极横向功率 MOSFET。该器件适用于多种电源管理应用,如 OR-ing、服务器及直流-直流转换器等。该 MOSFET 具备低导通电阻,可以在高温下保持高效运行,适合在严苛环境中使用。

    2. 技术参数


    - 电压参数
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 30 V
    - 门源电压 \( V{GS} \): ± 20 V
    - 漏极连续电流 (在 \( TJ = 175^\circ\text{C} \)):
    - 在 \( TC = 25^\circ\text{C} \): 120 A
    - 在 \( TA = 25^\circ\text{C} \): 28.8 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 380 A
    - 单脉冲雪崩电流 \( I{AS} \): 36 A
    - 连续源漏二极管电流 \( IS \): 90 A
    - 热阻参数
    - 最大结到环境热阻 \( R{thJA} \): 32-40 \( ^\circ\text{C}/\text{W} \)
    - 最大结到外壳热阻 \( R{thJC} \): 0.5-0.6 \( ^\circ\text{C}/\text{W} \)
    - 电阻参数
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 在 \( V{GS} = 10 \text{V} \): 0.003 \( \Omega \)
    - 在 \( V{GS} = 4.5 \text{V} \): 0.004 \( \Omega \)
    - 其他电气特性
    - 动态特性:输入电容 \( C{iss} \) 为 3100 pF,输出电容 \( C{oss} \) 为 725 pF,反向转移电容 \( C{rss} \) 为 370 pF。
    - 总栅极电荷 \( Qg \):
    - 在 \( V{GS} = 10 \text{V} \): 171-257 nC
    - 在 \( V{GS} = 4.5 \text{V} \): 81.5-123 nC

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术: 采用先进的 TrenchFET 技术,能够提供更低的导通电阻,提高效率。
    - 100% Rg 和 UIS 测试: 确保每个产品都经过严格的测试,保证其可靠性和稳定性。
    - 符合 RoHS 标准: 符合欧盟 RoHS 标准,环保无害。
    - 高可靠性: 适用于各种恶劣环境,包括高温和低温。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: 适用于 OR-ing 电路、服务器及直流-直流转换器等。
    - 使用建议:
    - 在 OR-ing 电路中,应注意保护电路以避免瞬时过载。
    - 在服务器电源模块中,合理选择散热片以提高热稳定性和使用寿命。
    - 在直流-直流转换器中,应注意滤波和匹配合适的负载,避免电路震荡。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与现有的大部分电子系统兼容,可以无缝集成到各种应用中。
    - 支持: 厂商提供详细的技术文档和技术支持,确保用户能够轻松上手并解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 电路过热导致器件损坏。
    - 解决办法: 使用适当的散热措施,如散热片或强制风冷,确保结温不超过最大值。
    - 问题: 开关过程中噪声过大。
    - 解决办法: 使用合适尺寸的电容进行滤波,减少开关过程中的瞬态电压和电流冲击。
    - 问题: 启动时间过长。
    - 解决办法: 减小栅极电阻 \( Rg \),加快开关速度。

    7. 总结和推荐


    UT75N03 N-Channel 30-V MOSFET 是一款高性价比的产品,具有出色的导通电阻、高可靠性及广泛的应用范围。它特别适用于需要高性能和稳定性的应用场合。推荐用户在选择相关产品时考虑此型号,因为它能够在各种复杂环境下表现出色。

UT75N03-VB参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 120A
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UT75N03-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT75N03-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT75N03-VB UT75N03-VB数据手册

UT75N03-VB封装设计

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