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K9A55DA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: K9A55DA-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K9A55DA-VB

K9A55DA-VB概述

    N-Channel 650V Power MOSFET K9A55DA 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 650V Power MOSFET(K9A55DA)是一款高性能的N沟道功率MOSFET,适用于多种高压应用场合。其设计目标是实现低损耗和高效率,尤其适用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯镇流器)。此外,它也适用于各种工业控制设备。

    2. 技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):650V
    - 最大栅源电压 (VGS):±30V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C:12A
    - TC = 100°C:9.4A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):45A
    - 热阻 (RthJA):60°C/W
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):mJ
    - 最大功耗 (PD):34W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55至+150°C
    - 关断时间 (td(off)):81至90ns
    - 导通电阻 (RDS(on)):最大值为0.Ω @ VGS = 10V
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值为43nC
    - 输入电容 (Ciss):最大值为100pF

    3. 产品特点和优势


    - 低损耗:通过优化设计,该MOSFET实现了低导通电阻 (RDS(on)) 和低栅极电荷 (Qg),有效降低了开关和传导损耗。
    - 快速响应:低栅极电容 (Ciss) 和低栅极电荷 (Qg) 的组合使得该MOSFET具有出色的开关性能。
    - 可靠性高:通过精心的工艺设计,确保了其在极端工作条件下的可靠性和稳定性。
    - 多功能应用:适用于多种高压场合,特别是对效率和可靠性要求高的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应系统:由于其高耐压和大电流能力,特别适合于这类需要高可靠性系统的应用。
    - 开关模式电源(SMPS):由于其低损耗特性,能够显著提高整体能效,降低系统运行成本。
    - 工业控制设备:能够在宽温度范围内稳定工作,适用于各种恶劣环境下的工业应用。
    使用建议:
    - 在选择驱动电路时,应考虑合适的栅极电阻 (Rg),以避免过高的dv/dt引发不必要的寄生效应。
    - 在设计散热系统时,要充分考虑其热阻 (RthJA),以确保MOSFET能够在正常工作温度范围内运行。

    5. 兼容性和支持


    该MOSFET与其他常见的电子元件和系统兼容,提供了良好的互操作性。厂商提供全面的技术支持和服务,包括产品咨询、技术支持和售后维护,确保客户能够在使用过程中获得全方位的支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的栅极电压可能会导致MOSFET损坏。
    解决方案:确保VGS不超过规定的极限值。
    - 问题2:开关损耗过大。
    解决方案:检查并优化驱动电路的设计,减小栅极电阻 (Rg),以加快开关速度。
    - 问题3:工作温度过高。
    解决方案:增加散热片或改进散热方式,确保MOSFET工作在推荐的工作温度范围内。

    7. 总结和推荐


    总体而言,N-Channel 650V Power MOSFET K9A55DA 是一款性能优异的高压MOSFET,其出色的开关特性和低损耗使其成为服务器电源、电信电源及工业控制设备的理想选择。对于追求高能效和高可靠性的应用来说,这款产品值得推荐。
    此篇文章总结了N-Channel 650V Power MOSFET K9A55DA 的关键特性、参数、应用案例及其使用建议。如果您有任何进一步的问题或需求,欢迎联系我们的服务热线:400-655-8788 或访问官网 [www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com) 获取更多信息。

K9A55DA-VB参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 12A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K9A55DA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K9A55DA-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K9A55DA-VB K9A55DA-VB数据手册

K9A55DA-VB封装设计

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