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8N50L-TF2-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: 8N50L-TF2-T-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 8N50L-TF2-T-VB

8N50L-TF2-T-VB概述

    # 8N50L-TF2-T-VB 650V N-Channel Power MOSFET

    产品简介


    基本介绍
    8N50L-TF2-T-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,设计用于高压(最高650V)环境。它适用于多种电力应用,如服务器和电信电源、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)、照明系统(包括高强度放电灯HID和荧光灯)、以及工业设备。
    主要功能
    - 高耐压能力:最高可承受650V电压。
    - 极低的导通电阻:保证低功耗。
    - 快速开关:减少损耗并提高效率。
    - 优秀的热管理:具有良好的热阻特性,确保安全运行。

    应用领域
    - 服务器和电信电源
    - 开关模式电源供应(SMPS)
    - 功率因数校正电源供应(PFC)
    - 工业照明系统,特别是高亮度放电灯和荧光灯系统。
    - 各类工业设备

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 (VDS) | 650 | V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 0.055 | Ω |
    | 总栅极电荷 (Qg) | 43 | nC |
    | 输入电容 (Ciss) | 5 | nC |
    | 输出电容 (Coss) | 22 | nC |
    | 栅极-源极电容 (Qgs) | 5 | nC |
    | 漏极-栅极电容 (Qgd) | 22 | nC |
    | 最大连续漏极电流 (ID)| 12 | A |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) | 45 | A |
    | 反向恢复时间 (trr) | 345 | ns |

    产品特点和优势


    8N50L-TF2-T-VB 具备以下显著特点和优势:
    - 低FOM (Ron x Qg):这使得在高效能、低损耗方面表现出色。
    - 低输入电容 (Ciss):有助于加快开关速度,降低功耗。
    - 快速开关:可以显著减少转换损耗,提高整体能效。
    - 超低栅极电荷 (Qg):降低了驱动器所需的能量,减少了开关时间。
    这些特点使其在各种电力电子应用中具备明显的竞争优势,特别适用于需要高频、高效转换的应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    8N50L-TF2-T-VB 已广泛应用于服务器和电信电源供应、工业照明系统等场合。例如,在高强度放电灯(HID)和荧光灯的控制电路中,其出色的性能确保了灯具的高效和稳定运行。
    使用建议
    - 散热管理:由于其较高的最大功率消耗,务必注意良好的散热设计以避免过热。
    - 电路布局:在安装时,应确保电路板的布局尽可能减少寄生电感,从而提高可靠性。
    - 驱动电路选择:应选择合适的驱动电路,确保栅极驱动信号能够有效触发MOSFET。

    兼容性和支持


    8N50L-TF2-T-VB 支持多种驱动器和控制器,并且提供了详尽的技术支持,包括产品文档、样品、在线支持和售后服务。客户可通过电话(400-655-8788)联系台湾VBsemi获取进一步的帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 工作温度范围:最高可达150°C。
    2. 脉冲电流限制:需要确保在规定的脉冲宽度下使用,以防止过载。
    解决方案
    - 对于高温环境,应确保良好的散热措施,比如采用高效的散热器。
    - 对于脉冲电流,需严格遵守最大值限制,并通过模拟软件进行充分的测试和验证。

    总结和推荐


    综合评估
    8N50L-TF2-T-VB 在高耐压、低损耗、快速开关等方面表现出色,适合于需要高可靠性的电力电子应用。其优良的热管理和驱动性能使其成为高端电源供应和照明系统应用的理想选择。
    推荐使用
    强烈推荐使用8N50L-TF2-T-VB,尤其对于需要高效、高速开关特性的应用场合。其独特的技术和优势使其在市场上具备很高的竞争力和广泛应用前景。
    如果您对8N50L-TF2-T-VB有任何疑问或需求,请联系我们的技术支持团队(400-655-8788),我们将为您提供专业的指导和服务。

8N50L-TF2-T-VB参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 12A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

8N50L-TF2-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

8N50L-TF2-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 8N50L-TF2-T-VB 8N50L-TF2-T-VB数据手册

8N50L-TF2-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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