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K17A65D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
供应商型号: K17A65D-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K17A65D-VB

K17A65D-VB概述

    K17A65D-VB N-Channel 650 V (D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K17A65D-VB 是一款 N 沟道超级结功率 MOSFET,适用于多种高压电力转换应用。其独特的结构使其在降低开关损耗和导通损耗方面表现出色。它广泛应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源、照明(如高强度放电灯和荧光灯镇流器)以及工业控制等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS 650 | V |
    | 导通电阻(25°C) | RDS(on) 0.19 Ω |
    | 输入电容 | Ciss 2322 pF |
    | 输出电容 | Coss 105 pF |
    | 门极电荷 | Qg 106 nC |
    | 门极-源极电荷 | Qgs 14 nC |
    | 门极-漏极电荷 | Qgd 33 nC |
    | 漏极连续电流(TJ=150°C)| ID | 25 20 | A |
    | 最大功率耗散 | PD 200 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 150 | °C |

    产品特点和优势


    1. 低损耗:低阻断电压(VDS)和极低的导通电阻(RDS(on)),使得该 MOSFET 在开关操作时具有较低的损耗。
    2. 高效率:低输入电容(Ciss)和低门极电荷(Qg),减少了系统的整体损耗,提高了能效。
    3. 快速开关:超低的门极电荷和快速的开关时间特性,使其在高频应用中表现出色。
    4. 高可靠性:重复脉冲耐受能力强,适用于各种严苛的工作环境。

    应用案例和使用建议


    1. 服务器和电信电源:在数据中心环境中,该 MOSFET 可显著提高电源供应的效率,降低能耗。使用时应注意散热管理,以避免过热。
    2. 照明系统:在高强度放电灯和荧光灯镇流器中,该 MOSFET 能够高效驱动光源,延长灯具寿命。安装时需考虑正确的电路布局,以确保电流稳定。
    3. 工业控制:可用于工业自动化设备中的高压驱动电路,提供可靠的控制信号传输。在使用过程中要定期检查连接线和电路板状态,防止接触不良导致故障。

    兼容性和支持


    该产品采用 TO-220 Fullpak 封装,易于集成到现有的电源模块中。制造商提供了详尽的技术支持文档,包括电路图、焊接指南等,有助于用户进行设计和调试。

    常见问题与解决方案


    1. 高温环境下如何保证可靠性?
    - 解决方案:确保良好的散热措施,如加装散热片或使用散热风扇,将结温控制在最大允许范围内。
    2. 如何测量门极电荷 Qg?
    - 解决方案:使用专业仪器,如示波器配合门极驱动电路,直接读取门极电荷值。

    总结和推荐


    K17A65D-VB N-Channel 650 V (D-S) Super Junction Power MOSFET 凭借其低损耗、高效率和高可靠性等特点,在多种高压电力转换应用中表现出色。尤其适合需要高效能源管理和长期可靠性的场合。总体而言,推荐在服务器、电信电源和工业控制等领域优先选择此产品。

K17A65D-VB参数

参数
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 20A
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K17A65D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K17A65D-VB数据手册

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K17A65D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 11.6609
100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
1000+ ¥ 9.5015
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型号 价格(含增值税)
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