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NTMS4802NR2G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n该产品为单体N型MOSFET,具有以下特性:\n- 最大漏极电压(VDS)为30V,适用于中等功率应用。\n- 最大门源电压(VGS)为±20V,兼容多种驱动电路。\n- 阈值电压(Vth)为1.7V,具有良好的开关特性。\n- 在VGS=4.5V时,导通电阻为5m?;在VGS=10V时,导通电阻为4m?,具有低导通电阻和低开关损耗。\n- 最大漏极电流(ID)为18A,可满足多种应用场景的电流需求。\n- 采用Trench工艺,具有优异的热特性和可靠性。\n- 封装为SOP8,便于PCB布局和焊接。
供应商型号: NTMS4802NR2G-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTMS4802NR2G-VB

NTMS4802NR2G-VB概述

    NTMS4802NR2G N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTMS4802NR2G 是一款 N 沟道 30V(漏源)功率 MOSFET,专为高边同步整流操作优化。该器件具备低导通电阻和高效率的特点,适用于笔记本电脑处理器核心供电等领域。

    2. 技术参数


    - 漏源电压 (VDS):30 V
    - 最大连续漏极电流 (TJ = 150 °C):
    - TC = 25 °C:18 A
    - TC = 70 °C:16 A
    - TA = 25 °C:15 A
    - TA = 70 °C:13 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):50 A
    - 反向恢复时间 (trr):15 至 30 ns
    - 总栅极电荷 (Qg):15 至 23 nC
    - 最大功率耗散 (TC = 25 °C):4.5 W
    - 热阻 (RthJA):38 至 50 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 无卤素设计:符合 RoHS 和 JEDEC JS709A 标准,环保友好。
    - TrenchFET® 电源 MOSFET:先进的沟槽技术,提供高可靠性和高效能。
    - 优化高边同步整流操作:特别适合笔记本电脑CPU核心供电。
    - 100% 测试:确保每颗器件均通过栅极电阻和雪崩测试。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:笔记本电脑CPU核心高边开关。
    - 使用建议:在使用过程中,注意保持温度在安全范围内(-55°C 至 150°C),避免超过最大额定值。例如,在大电流和高频工作条件下,适当增加散热措施以减少热效应。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与其他常见的表面贴装器件兼容,可在多种封装中使用。
    - 支持:制造商提供全面的技术支持,包括安装指南和故障排除文档。若有问题,可联系服务热线:400-655-8788。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:器件发热严重。
    - 解决方案:检查工作条件,确保不超过最大额定值。考虑使用外部散热器。

    - 问题2:电流过大导致过载。
    - 解决方案:确认负载情况,限制电流在安全范围内。使用合适的驱动电路控制电流。

    7. 总结和推荐


    总体而言,NTMS4802NR2G 是一款高性能、可靠且易于使用的 N 沟道 MOSFET,尤其适合笔记本电脑CPU核心供电等应用场景。其无卤素设计、高可靠性及优化的电气特性使其在市场上具有很强的竞争力。因此,强烈推荐给需要高性能功率转换的应用场合。

NTMS4802NR2G-VB参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.72V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 18A
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTMS4802NR2G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTMS4802NR2G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTMS4802NR2G-VB NTMS4802NR2G-VB数据手册

NTMS4802NR2G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.5301
500+ ¥ 1.4688
4000+ ¥ 1.4077
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