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UT2309G-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: UT2309G-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT2309G-AE3-R-VB

UT2309G-AE3-R-VB概述

    # P-Channel 30V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    P-Channel 30V MOSFET(型号:UT2309G-AE3-R)是一种采用TrenchFET®工艺的功率场效应晶体管(MOSFET)。它适用于便携式计算设备中的负载开关、笔记本适配器开关以及DC/DC转换器等应用。这款MOSFET具有低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,适合于要求高效能的应用场合。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | -30 | V |
    | 漏极连续电流 | ID | - | - | -5.6 (TC=25°C), -5.4 (TA=25°C) | A |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.046 Ω (VGS=-10V, ID=-4.4A) | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1295 pF (VDS=-15V, VGS=0V) | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 150 pF | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 130 pF | - | pF |
    | 总栅电荷 | Qg | - | 24 nC (VDS=-15V, VGS=-10V) | - | nC |

    产品特点和优势


    独特功能
    - TrenchFET®工艺:采用了先进的沟槽工艺,提供更低的导通电阻(RDS(on)),从而降低功耗。
    - 高可靠性:100% Rg测试,确保每个产品在出厂前都经过严格的性能检测。
    市场竞争力
    - 高效节能:低RDS(on)使得在高电流下也能保持较低的能耗,适合用于需要长时间运行的应用。
    - 广泛适用性:适用于各种便携式计算设备,如笔记本电脑和移动设备,具有良好的通用性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 笔记本适配器开关:在笔记本电脑的电源管理系统中,可以作为高效的开关元件,提高系统效率。
    - DC/DC转换器:用于转换不同电压等级,提升电源系统的灵活性。
    使用建议
    - 热管理:由于最大结温为150°C,建议在使用时采取适当的散热措施,以避免过热损坏。
    - 正确布线:根据数据表中的推荐引脚布局,确保正确的电气连接和信号传输。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 该MOSFET与标准的SOT-23封装兼容,方便与其他常见的电路板进行集成。
    支持和维护
    - 供应商提供详尽的技术支持文档,包括使用手册和常见问题解答。此外,还可以通过400-655-8788联系客户服务,获得专业的技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何测量RDS(on)?
    - 解决方案:可以通过在指定的VGS下测量漏极电流和漏源电压来计算RDS(on),具体公式为RDS(on) = VDS / ID。
    2. 问题:是否可以承受脉冲电流?
    - 解决方案:手册中规定了脉冲电流的承受能力,需在不超过规定的电流和时间限制内使用。
    3. 问题:如何判断MOSFET是否正常工作?
    - 解决方案:可以通过测量阈值电压(VGS(th))和漏源电压(VDS)来判断MOSFET的工作状态。

    总结和推荐


    综合评估
    P-Channel 30V MOSFET UT2309G-AE3-R凭借其先进的TrenchFET®工艺和高可靠性,在多个应用场景中表现出色。其低导通电阻和高耐压特性使其非常适合便携式计算设备中的应用。在热管理和布线方面需注意细节,但总体上这款MOSFET是一个可靠的选择。
    推荐结论
    强烈推荐使用这款P-Channel 30V MOSFET,特别是在对性能和稳定性要求较高的应用环境中。它能够有效提升整体系统效率,并减少能耗。

UT2309G-AE3-R-VB参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 5.6A
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT2309G-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT2309G-AE3-R-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT2309G-AE3-R-VB UT2309G-AE3-R-VB数据手册

UT2309G-AE3-R-VB封装设计

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Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
80+ ¥ 0.3493
300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
库存: 400000
起订量: 80 增量: 3000
交货地:
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型号 价格(含增值税)
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