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FDD5N50TM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: FDD5N50TM-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDD5N50TM-VB

FDD5N50TM-VB概述

    FDD5N50TM N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FDD5N50TM 是一款 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和开关应用。它具有低门极电荷(Qg)特性,使得驱动要求简单,同时具备改进的门极、雪崩和动态 dv/dt 耐久性。此产品完全符合 RoHS 指令 2002/95/EC 的要求,适用于各种电子设备中的功率管理模块。

    技术参数


    - 最大耐压(VDS): 650V
    - 导通电阻(RDS(on)): 在 VGS=10V 时为 0.95Ω
    - 总门极电荷(Qg): 最大值为 15nC
    - 门极-源极电荷(Qgs): 3nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd): 6nC
    - 连续漏极电流(TC=25°C): 5A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 16A
    - 最高雪崩能量(EAS): 120mJ
    - 工作温度范围(TJ, Tstg): -55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    - 低门极电荷:降低了驱动电路的要求,简化设计。
    - 增强的耐用性:包括门极、雪崩和动态 dv/dt 耐久性。
    - 全参数化特性:包括容量和雪崩电压电流。
    - RoHS 符合性:符合环保要求,适合大规模生产。

    应用案例和使用建议


    FDD5N50TM MOSFET 广泛应用于需要高可靠性和高效能的电力电子系统中。例如,在直流转换器、逆变器、电机控制等领域有广泛应用。使用建议包括确保在操作过程中遵守规定的最大工作温度范围,并在高温环境下适当降额使用。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与多种电源管理系统和其他电子元器件高度兼容。
    - 支持:制造商提供详细的安装指南和技术支持,以确保用户能够充分利用产品的功能。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 门极电荷过高导致驱动困难。
    - 解决方案: 确保驱动电路的设计符合产品的门极电荷要求,可以考虑增加合适的栅极电阻。
    - 问题2: 温度过高影响正常运行。
    - 解决方案: 采用适当的散热措施,如散热片或风扇,确保在安全温度范围内运行。

    总结和推荐


    FDD5N50TM N-Channel MOSFET 是一款性能卓越的功率 MOSFET,特别适用于需要高可靠性和高效能的电力电子系统。其优秀的电气特性和广泛的应用范围使其在市场上具备很强的竞争力。因此,强烈推荐给对功率管理需求较高的项目和应用。

FDD5N50TM-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 5A
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
配置 -
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDD5N50TM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDD5N50TM-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDD5N50TM-VB FDD5N50TM-VB数据手册

FDD5N50TM-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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型号 价格(含增值税)
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