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2N80L-TN3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 2N80L-TN3-R-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2N80L-TN3-R-VB

2N80L-TN3-R-VB概述

    2N80L-TN3-R N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    2N80L-TN3-R 是一种高可靠性的 N-通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为多种应用设计,包括服务器和电信电源供应、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)以及照明设备(如高强度放电灯 HID 和荧光灯球)。此外,它也广泛应用于工业领域,如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器以及可再生能源系统,特别是光伏逆变器。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS):800V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C):VGS = 10 V 时 2.8 A(TC = 25°C),1.8 A(TC = 100°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):5A
    - 最大功率耗散 (PD):62.5W
    - 存储温度范围 (TSTG):-55°C 到 +150°C
    - 导通电阻 (RDS(on)):25°C 时 VGS = 10 V 时典型值 2.38Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):最大 90nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs):11nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd):19nC
    - 输入电容 (Ciss):315 pF
    - 输出电容 (Coss):20 pF
    - 反向传输电容 (Crss):-6 pF

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷 (Qg):有助于减少开关和导通损耗。
    - 低输入电容 (Ciss):降低信号延迟和开关频率下的功耗。
    - 雪崩能量耐受能力 (UIS):增强可靠性,在高能条件下依然稳定。
    - 高效率:通过优化导通电阻和电容特性,确保在高电流应用中高效运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应:利用其低损耗特性,适用于高频高效率电源转换。
    - 太阳能光伏逆变器:高效稳定的性能使其成为可再生能源系统中的理想选择。
    - 工业应用:在焊接和感应加热等应用中,提供快速响应和高可靠性。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需注意散热以保持最佳性能。
    - 确保电路布局合理,减少寄生电感,提高整体效率。

    5. 兼容性和支持


    - 2N80L-TN3-R 具有良好的与其他标准电源设备的兼容性。
    - 提供详尽的技术支持和售后服务,确保用户获得最佳的使用体验。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:漏极电流过大导致器件过热。
    - 解决方案:检查并调整散热设计,确保适当冷却。

    - 问题 2:频繁开关导致器件损坏。
    - 解决方案:优化电路设计,减少开关次数和频率。

    7. 总结和推荐


    总体而言,2N80L-TN3-R N-通道 MOSFET 是一款高性能、高可靠性的产品,适用于多种电力电子应用。它的低损耗、高效率以及广泛的温度适应性使其在市场上具有显著的竞争优势。对于需要高可靠性和高效率的场合,我们强烈推荐使用这款 MOSFET。

2N80L-TN3-R-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.6Ω@ 10V
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
Id-连续漏极电流 2A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

2N80L-TN3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2N80L-TN3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2N80L-TN3-R-VB 2N80L-TN3-R-VB数据手册

2N80L-TN3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.1395
2500+ ¥ 3.9595
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